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[導讀]市場研究公司DRAMeXchange的分析顯示,全球NAND flash產(chǎn)能繼2008年減少近28%之后,2009年將再降59%。 2009年NAND flash位增長幅度將較2008大64%,而2007年位增長率高達133%。如果需求在下半年恢復且供應(yīng)商控制其產(chǎn)出

市場研究公司DRAMeXchange的分析顯示,全球NAND flash產(chǎn)能繼2008年減少近28%之后,2009年將再降59%。

2009年NAND flash位增長幅度將較2008大64%,而2007年位增長率高達133%。如果需求在下半年恢復且供應(yīng)商控制其產(chǎn)出增長,那供應(yīng)過剩的局面可能得到改善,NAND flash價格也將企穩(wěn)并逐漸上漲。

近幾個月,部分供應(yīng)商已宣布計劃減少NAND flash產(chǎn)能,尤其是200mm工廠產(chǎn)能。

下游NAND客戶正在調(diào)降庫存,而需求幾乎完全來自短期急單。在中國春節(jié)行情和部分急單的影響下,NAND flash合約價預計將走穩(wěn)并在短期內(nèi)反彈。

DRAMeXchange數(shù)據(jù)先死,2008年第四季度NAND flash整體平均銷售價格下跌32%。

由于NAND flash需求冷淡,市場能見度也很差,預計供應(yīng)過剩的局面在上半年仍將持續(xù)。

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與其他類型的半導體相比,存儲芯片的競爭廠商數(shù)量更多,而且芯片本身的差異化程度較低,這使得存儲芯片更加商品化,對需求變化也就更加敏感。存儲芯片通常是第一個感受到需求變化并出現(xiàn)價格下跌的組件。

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