微型記憶卡接口芯片（ST）
[導(dǎo)讀]意法半導(dǎo)體（ST)推出一個(gè)高集成度的微型記憶卡接口芯片，新產(chǎn)品采用世界領(lǐng)先的IPAD™ (有源和無(wú)源器件集成)技術(shù)，內(nèi)置可插拔SD（安全數(shù)字）記憶卡接口所需的五個(gè)基本功能，適用于帶有SD接口的手機(jī)、GPS導(dǎo)航設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)等各種消費(fèi)類和工業(yè)類產(chǎn)品。
意法半導(dǎo)體（ST)推出一個(gè)高集成度的微型記憶卡接口芯片，新產(chǎn)品采用世界領(lǐng)先的IPAD™ (有源和無(wú)源器件集成)技術(shù)，內(nèi)置可插拔SD（安全數(shù)字）記憶卡接口所需的五個(gè)基本功能，適用于帶有SD接口的手機(jī)、GPS導(dǎo)航設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)等各種消費(fèi)類和工業(yè)類產(chǎn)品。新的倒裝片封的EMIF06-SD02F3記憶卡收發(fā)器集成了信號(hào)調(diào)節(jié)、雙向電平轉(zhuǎn)換、ESD（靜電放電）保護(hù)、EMI (電磁干擾)過濾單元和一個(gè)2.9V穩(wěn)壓器。
在一個(gè)單片內(nèi)集成這些電路有助于提高系統(tǒng)的可靠性，同時(shí)比分立器件解決方案節(jié)省電路板空間75%以上。EMIF06-SD02F3占用電路板面積不到7平方毫米，具有相同功能的分立器件解決方案需要大約30平方毫米，同時(shí)新產(chǎn)品還簡(jiǎn)化了目標(biāo)應(yīng)用的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和電路布局。
該芯片符合標(biāo)準(zhǔn)的和高速SD接口協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)，以及MiniSD、MMC和uSD/TransFlash標(biāo)準(zhǔn)。新產(chǎn)品的特性包括一個(gè)先進(jìn)的ESD保護(hù)電路、高效EMI過濾電路和上拉/下拉電阻，其中ESD保護(hù)電路用于保護(hù)外部的裸露的記憶卡插槽，EMI過濾電路用于防止射頻干擾數(shù)據(jù)線路，上拉和下拉電阻用于防止出現(xiàn)懸空的數(shù)據(jù)線路?？▊?cè)ESD保護(hù)電路符合嚴(yán)格的IEC61000-4-2 的四級(jí)保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)，即空氣放電15kV。EMI濾波器工作頻率800MHz到3GHz，在1GHz頻率下，衰減性能超過20dB。
此外，該芯片還提供六個(gè)高速雙向電平轉(zhuǎn)換器，它們的工作頻率50MHz，典型傳播延遲3ns，能夠把2.9V的記憶卡連接到1.8V主處理器。1.5ns的通道間最大延遲差確保數(shù)據(jù)的一致性，并針對(duì)低功耗應(yīng)用優(yōu)化了驅(qū)動(dòng)器，靜態(tài)斷態(tài)電路取得了1微安的好成績(jī)。
記憶卡的電源是由一個(gè)2.9V片上低壓降(LDO) CMOS穩(wěn)壓器提供的，輸出電流 200mA，輸入電壓范圍3.1V到5V。當(dāng)200mA負(fù)載時(shí)，最大壓降100mV。新產(chǎn)品還提供一個(gè)關(guān)斷控制引腳，該引腳的導(dǎo)通時(shí)間很短，僅為30μs，這個(gè)特性有助于最大限度降低產(chǎn)品的功耗，延長(zhǎng)電池使用時(shí)間。穩(wěn)壓器包括一個(gè)熱關(guān)斷、低壓鎖定和短路保護(hù)功能。
EMIF06-SD02F3采用一個(gè)24焊球的微型無(wú)鉛封裝，焊球間距400微米，新產(chǎn)品現(xiàn)已投入量產(chǎn)。訂購(gòu)100萬(wàn)只，單價(jià)1.10美元；訂購(gòu)100萬(wàn)到500萬(wàn)只，單價(jià)0.95美元。
在一個(gè)單片內(nèi)集成這些電路有助于提高系統(tǒng)的可靠性，同時(shí)比分立器件解決方案節(jié)省電路板空間75%以上。EMIF06-SD02F3占用電路板面積不到7平方毫米，具有相同功能的分立器件解決方案需要大約30平方毫米，同時(shí)新產(chǎn)品還簡(jiǎn)化了目標(biāo)應(yīng)用的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和電路布局。
該芯片符合標(biāo)準(zhǔn)的和高速SD接口協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)，以及MiniSD、MMC和uSD/TransFlash標(biāo)準(zhǔn)。新產(chǎn)品的特性包括一個(gè)先進(jìn)的ESD保護(hù)電路、高效EMI過濾電路和上拉/下拉電阻，其中ESD保護(hù)電路用于保護(hù)外部的裸露的記憶卡插槽，EMI過濾電路用于防止射頻干擾數(shù)據(jù)線路，上拉和下拉電阻用于防止出現(xiàn)懸空的數(shù)據(jù)線路?？▊?cè)ESD保護(hù)電路符合嚴(yán)格的IEC61000-4-2 的四級(jí)保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)，即空氣放電15kV。EMI濾波器工作頻率800MHz到3GHz，在1GHz頻率下，衰減性能超過20dB。
此外，該芯片還提供六個(gè)高速雙向電平轉(zhuǎn)換器，它們的工作頻率50MHz，典型傳播延遲3ns，能夠把2.9V的記憶卡連接到1.8V主處理器。1.5ns的通道間最大延遲差確保數(shù)據(jù)的一致性，并針對(duì)低功耗應(yīng)用優(yōu)化了驅(qū)動(dòng)器，靜態(tài)斷態(tài)電路取得了1微安的好成績(jī)。
記憶卡的電源是由一個(gè)2.9V片上低壓降(LDO) CMOS穩(wěn)壓器提供的，輸出電流 200mA，輸入電壓范圍3.1V到5V。當(dāng)200mA負(fù)載時(shí)，最大壓降100mV。新產(chǎn)品還提供一個(gè)關(guān)斷控制引腳，該引腳的導(dǎo)通時(shí)間很短，僅為30μs，這個(gè)特性有助于最大限度降低產(chǎn)品的功耗，延長(zhǎng)電池使用時(shí)間。穩(wěn)壓器包括一個(gè)熱關(guān)斷、低壓鎖定和短路保護(hù)功能。
EMIF06-SD02F3采用一個(gè)24焊球的微型無(wú)鉛封裝，焊球間距400微米，新產(chǎn)品現(xiàn)已投入量產(chǎn)。訂購(gòu)100萬(wàn)只，單價(jià)1.10美元；訂購(gòu)100萬(wàn)到500萬(wàn)只，單價(jià)0.95美元。
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