電子產(chǎn)品很多可靠性和穩(wěn)定性的問(wèn)題是有電磁兼容性設(shè)計(jì)不過(guò)關(guān)所導(dǎo)致的。常見(jiàn)的問(wèn)題有信號(hào)的失真,信號(hào)噪音過(guò)大,工作過(guò)程中信號(hào)不穩(wěn)定,系統(tǒng)容易死機(jī),系統(tǒng)易受環(huán)境干擾,抗干擾能力差等。
PCB(PrintedCircuitBoard),中文名為pcb電路板,又被稱(chēng)為印刷線(xiàn)路板、印刷電路板,是至關(guān)重要的電子器件構(gòu)件,是電子元件的支承體,是電子元件保護(hù)接地的服務(wù)提供者。
電阻是工程師最常見(jiàn)的一種元器件,有分立式的電阻,有集成電路電阻,也有很大的功率電阻等等,雖然千變?nèi)f化,但是其本質(zhì)仍然是阻礙電流(常說(shuō)的限流)的一種器件。
在C語(yǔ)言中,內(nèi)存泄漏指的是程序在動(dòng)態(tài)分配內(nèi)存后,未能正確釋放這些內(nèi)存空間,導(dǎo)致系統(tǒng)無(wú)法回收這部分內(nèi)存空間,從而造成資源浪費(fèi);內(nèi)存泄漏通常表現(xiàn)為程序運(yùn)行過(guò)程中占用的內(nèi)存空間不斷增大,直至耗盡系統(tǒng)資源,導(dǎo)致程序崩潰或異常。
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
電機(jī)的原理在于其利用電能在線(xiàn)圈上產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng),進(jìn)而推動(dòng)轉(zhuǎn)子的轉(zhuǎn)動(dòng)。這一原理基于電磁感應(yīng)定律,即通電的線(xiàn)圈在磁場(chǎng)中會(huì)受到力的作用而轉(zhuǎn)動(dòng)。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),電機(jī)就是通過(guò)這種方式將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能。
電阻的作用電阻在電子電路當(dāng)中很重要,也是電子電路非常常見(jiàn)且數(shù)量最多的元器件之一,在電路當(dāng)中可以做作分壓、限流、負(fù)載等作用,與其他元器件一起組成起到不同的作用,它與電容器一起能夠組成濾波器、放大器以及延時(shí)電路;在開(kāi)關(guān)電源電路用作取樣電阻、泄放電阻;開(kāi)關(guān)管電路中用作偏置電阻等等。因此不同硬件電路電阻不盡相同,電阻類(lèi)型也不盡相同,要正確理解電阻各個(gè)參數(shù)以及選型要求事項(xiàng),在電路當(dāng)中電阻的作用,這有這有才能設(shè)計(jì)出可靠的電路,因此要根據(jù)實(shí)際電路具體要求選擇適合的電阻。
在電子電路中,電容器作為一種重要的被動(dòng)元件,廣泛應(yīng)用于各種場(chǎng)合。其中,去耦電容和濾波電容是兩種常見(jiàn)的應(yīng)用類(lèi)型。盡管它們?cè)谀承┓矫婀δ芟嗨?,但在具體應(yīng)用場(chǎng)景、作用原理和電路設(shè)計(jì)中的位置等方面存在顯著差異。
在現(xiàn)代軟件系統(tǒng)中,數(shù)據(jù)庫(kù)與緩存是兩個(gè)重要的組成部分。數(shù)據(jù)庫(kù)負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的持久化存儲(chǔ),而緩存則用于加速數(shù)據(jù)訪問(wèn)速度。然而,如何保證數(shù)據(jù)庫(kù)與緩存之間數(shù)據(jù)的一致性是一個(gè)具有挑戰(zhàn)性的問(wèn)題。本文將探討數(shù)據(jù)庫(kù)與緩存數(shù)據(jù)一致性問(wèn)題,并關(guān)注先更新數(shù)據(jù)庫(kù)還是先更新緩存這一關(guān)鍵問(wèn)題。
電磁場(chǎng)是電場(chǎng)與磁場(chǎng)的統(tǒng)一體,描述電荷周?chē)目臻g作用;電磁波是電磁場(chǎng)的能量傳播形式,以波動(dòng)方式在空間傳遞。?
CPU的大小端模式?是指在存儲(chǔ)和處理多字節(jié)數(shù)據(jù)時(shí),字節(jié)的順序是如何排列的。它涉及到字節(jié)在內(nèi)存中的存儲(chǔ)方式以及讀取和解釋這些字節(jié)的順序。主要有兩種大小端模式:?大端模式(Big-Endian)?和?小端模式(Little-Endian)?。
在Redis中,有三種不同的部署模式:主從復(fù)制(Master-Slave Replication)、哨兵(Sentinel)模式和集群(Cluster)模式。每種模式都有其特定的用途和優(yōu)勢(shì),適用于不同的場(chǎng)景。
April 22, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查,盡管美國(guó)暫緩?fù)七t征收對(duì)等關(guān)稅90天,為筆電品牌提供短暫的喘息空間,但整體市場(chǎng)仍受制不確定性因素的影響。品牌自2024年底開(kāi)始提前擴(kuò)大備貨規(guī)模,推升2024年第四季出貨年增率至5.1%,2025年第一季達(dá)7.2%。然而,考量整體國(guó)際形勢(shì)的變化影響,預(yù)估2025年筆電品牌全年出貨年增率將由3.6%下修至1.4%。
隨著工業(yè)和汽車(chē)領(lǐng)域?qū)Ω咝阅芪⒖刂破?MCU)的需求日益增加。從實(shí)時(shí)控制,到故障檢測(cè)的高精度需求,再到對(duì)系統(tǒng)穩(wěn)定性和安全性的嚴(yán)格要求,已經(jīng)成為這些行業(yè)程需解決關(guān)鍵痛點(diǎn)。
開(kāi)關(guān)電源,這一利用現(xiàn)代電力技術(shù)調(diào)控開(kāi)關(guān)晶體管通斷時(shí)間比率的電源設(shè)備,其核心在于維持穩(wěn)定輸出電壓。這種電源通常由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制的金氧半場(chǎng)效晶體管構(gòu)成,是現(xiàn)代電力電子技術(shù)的重要一環(huán)。隨著電力電子學(xué)的發(fā)展方向從低頻技術(shù)轉(zhuǎn)向高頻技術(shù),開(kāi)關(guān)電源技術(shù)在電力電子應(yīng)用和各類(lèi)電源系統(tǒng)中都扮演著不可或缺的角色。