[導讀]美國內(nèi)存大廠美光(Micron)合并華亞科技后，中國臺灣地區(qū)成為美光的 DRAM 生產(chǎn)基地，內(nèi)部設定以超越三星為目標，并全力沖刺 DRAM 和 3D NAND Flash 先進制程腳步，去年及今年總計投資 20 億美元，將臺中廠(原瑞晶)的制程提升至 1x 納米，另外，集團今年也將在中國臺灣地區(qū)擴大招募 1,000 名員工，要在先進制程技術上加快布局進度以趕上三星。
美國內(nèi)存大廠美光(Micron)合并華亞科技后，中國臺灣地區(qū)成為美光的 DRAM 生產(chǎn)基地，內(nèi)部設定以超越三星為目標，并全力沖刺 DRAM 和 3D NAND Flash 先進制程腳步，去年及今年總計投資 20 億美元，將臺中廠(原瑞晶)的制程提升至 1x 納米，另外，集團今年也將在中國臺灣地區(qū)擴大招募 1,000 名員工，要在先進制程技術上加快布局進度以趕上三星。
美光桃園廠營運長葉仁杰在農(nóng)歷春節(jié)后接任，他指出，美光整并前華亞科后，軟件、后臺、采購平臺的整合，人員融合等進度均順利，目前該廠 12 萬片的月產(chǎn)能已經(jīng)全數(shù)轉(zhuǎn)進 20 納米制程，今年將以提升生產(chǎn)效率為目標。
另外，隨著全球內(nèi)存業(yè)整并潮持續(xù)進行，市場也傳出美光將聚焦 DRAM 和 3D NAND Flash，退出編碼型閃存(NOR Flash)，擬處分旗下 NOR 芯片事業(yè)，并傳出華邦電和中國兆易創(chuàng)新為可能的市場買家。美光內(nèi)部證實確有此規(guī)劃，但發(fā)言體系并未透露相關細節(jié)。華邦電總經(jīng)理詹東義則表示并未聽說，但會慎重進一步研究。
下載文檔
