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[導(dǎo)讀]英特爾大連廠2009年投產(chǎn)

近日在大連召開(kāi)的第六屆中國(guó)半導(dǎo)體封裝測(cè)試技術(shù)與市場(chǎng)研討會(huì)上,英特爾(大連)有限公司總經(jīng)理代表張仲民透露,目前英特爾大連芯片廠土建工程已經(jīng)基本完成,正快速進(jìn)入機(jī)械、電力和管道安裝階段。總投資25億美元的英特爾大連芯片廠,在2007年9月動(dòng)工興建,計(jì)劃在2010年夏季投產(chǎn)。按照目前施工進(jìn)度,很有可能在2009年就具備試生產(chǎn)能力。

談到封裝技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),張仲民表示,英特爾已經(jīng)將芯片的封裝從微米級(jí)帶入到納米級(jí)。納米級(jí)的封裝工藝更加需要新型的封裝材料的應(yīng)用,同時(shí)疊層封裝,細(xì)間距互聯(lián)以及嵌入被動(dòng)元件將是未來(lái)發(fā)展的方向,以滿足市場(chǎng)對(duì)體積更小、速度更快、可靠性更高的電子產(chǎn)品的需求。
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