新浪科技訊 北京時(shí)間6月13日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，英特爾技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)表示，通過三門(tri-gate)晶體管及其他系列新技術(shù)，將有助于進(jìn)一步壓縮晶體管體積，進(jìn)而開發(fā)出下一代高處理能力芯片。

　　英特爾技術(shù)研發(fā)人員稱，憑借三門絕緣、高介電值雙電子(high-k gate dielectrics)、金屬電極及應(yīng)變硅(strained silicon)等新技術(shù)，公司在進(jìn)一步壓縮晶體管體積的同時(shí)，還可進(jìn)一步提高處理性能并防止電流泄漏。英特爾部件研發(fā)和技術(shù)部門主管兼制造部門副總裁邁克·梅伯里(Mike Mayberry)表示，隨著晶體管節(jié)點(diǎn)設(shè)備變得越來越小，上述新技術(shù)確實(shí)能解決諸多技術(shù)難題。若按照傳統(tǒng)方式，在晶體管體積縮小時(shí)將消耗更多電能，而且很難對(duì)其實(shí)施控制。

　　梅伯里稱，雖然英特爾可馬上將上述新技術(shù)投入生產(chǎn)，但目前還不打算這樣做，而計(jì)劃等到2009年公司轉(zhuǎn)入32納米工藝或2011年轉(zhuǎn)入22納米工藝時(shí)再投入使用。他說：“目前這些技術(shù)已達(dá)到成熟階段，因此已可當(dāng)作產(chǎn)品開發(fā)的技術(shù)選擇?！泵凡锝又硎?，自2002年以來，英特爾就一直在研發(fā)三門晶體管技術(shù)，如今又成功開發(fā)出高介電值雙電子及應(yīng)變硅等技術(shù)。

　　市場(chǎng)調(diào)查公司IC Insights技術(shù)副總裁特雷弗·燕西(Trevor Yancey)表示，三門技術(shù)意在解決晶體管縮小時(shí)所導(dǎo)致的電能消耗和控制問題，但由于應(yīng)變硅技術(shù)取得重大進(jìn)展，三門技術(shù)的開發(fā)因此而一度延遲。燕西接著表示，應(yīng)變硅技術(shù)只著眼于近期發(fā)展，而不是全新的變革。他說：“集成電路制造商更愿意使用演進(jìn)性而不是革命性技術(shù)，多門晶體管是一項(xiàng)變革性技術(shù)?！毖辔髡J(rèn)為，應(yīng)變硅技術(shù)今后將發(fā)揮重要作用，三門技術(shù)也將有其用武之地。

　　英特爾稱，與目前的65納米晶體管相比，三門技術(shù)將使芯片處理速度提高45%，電能消耗減少35%。市場(chǎng)調(diào)查公司Gartner副總裁馬丁·雷諾茲(Martin Reynolds)表示，如果晶體管體積變小，要讓它們正常工作的難度也將越來越大。他接著表示，英特爾三門技術(shù)中的關(guān)鍵之處就在于引進(jìn)了三維(3D)架構(gòu),從而能保持硅的流動(dòng)。(