東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開發(fā)下一代半導(dǎo)體制程技術(shù)，同時東芝也撤銷對SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業(yè)決定集中火力爭取半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來主導(dǎo)權(quán)，取代相互耗損的專利訴訟。

據(jù)ET News報導(dǎo)，東芝與SK海力士曾維持很長時間的合作關(guān)系。2007年締結(jié)專利授權(quán)合約，并自2011年開始共同開發(fā)下一代存儲器STT-MRAM。 2014年3月因存儲器半導(dǎo)體技術(shù)外流，東芝向SK海力士提出告訴，要求1.1兆韓元規(guī)模的民事賠償，雙方關(guān)系因此破裂。

最后SK海力士以支付2.8億美元，相當(dāng)訴訟規(guī)模27%的和解金與東芝達(dá)成協(xié)議，撤銷訴松。SK海力士半導(dǎo)體部門的專利相互授權(quán)合約，與產(chǎn)品供應(yīng)契約也獲得延長。通過這次的全方位合作宣言，雙方總算重修舊好。

SK海力士有關(guān)人士表示，與東芝進行全方位的合作，不但提升技術(shù)競爭力也獲得穩(wěn)定的訂單，同時解除潛在經(jīng)營不確定性。

SK海力士最近存儲器業(yè)績亮眼，對未來新技術(shù)的主導(dǎo)權(quán)也顯得越來越有興趣。目前與東芝共同開發(fā)的次世代納米壓印(Nanoimprint Lithography;NIL)技術(shù)，是在國際半導(dǎo)體科技藍(lán)圖(ITRS)中，被喻為能實現(xiàn)32納米以下微細(xì)制程的新方法。

半導(dǎo)體制程日趨微細(xì)化，而NIL正是實現(xiàn)微細(xì)圖案所必要的次世代制程技術(shù)。NIL制程與印章的原理類似，將液態(tài)紫外線(UV)感光性樹脂涂布在基板之后，以透明模具加壓形成圖案，再用光源照射將圖案固定。

因為沒有使用鏡片而采用便宜的UV光源，價格競爭力遠(yuǎn)勝極紫外光(EUV)曝光設(shè)備。與目前需耗費鉅額投資的制程技術(shù)相比，可望實現(xiàn)更經(jīng)濟的量產(chǎn)方式。而SK海力士與東芝若能成功開發(fā)NIL技術(shù)，商用化后也可望進一步強化存儲器產(chǎn)品的成本競爭力。