制造過程中的工藝差異,是導致運放失調(diào)電壓的關鍵因素之一。在運放內(nèi)部,晶體管、二極管等元件的制造無法做到絕對精確匹配。以輸入級的差分對管為例,由于光刻、摻雜等工藝步驟存在微小偏差,使得兩個晶體管的閾值電壓、跨導等參數(shù)難以完全一致。這種不一致會導致在相同輸入信號下,差分對管的輸出電流產(chǎn)生差異,從而在運放輸入端形成失調(diào)電壓。據(jù)統(tǒng)計,在一些普通工藝制造的運放中,因工藝差異導致的失調(diào)電壓可數(shù)毫伏甚至更高。
在電子焊接領域,虛焊是一個常見且棘手的問題,它猶如潛藏在電子設備中的定時炸彈,隨時可能引發(fā)設備故障,影響其性能與可靠性。通孔焊接和標貼焊接作為兩種主流的焊接方式,在應對虛焊問題上各有特點,而通孔焊接憑借其獨特的工藝特性,在解決虛焊問題方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。
在人工智能技術飛速發(fā)展的當下,AI 服務器作為承載核心運算的關鍵設備,其性能表現(xiàn)至關重要。而電感器,作為 AI 服務器電源管理和信號處理的重要元件之一,對服務器的高效穩(wěn)定運行起著不可忽視的作用。深入剖析 AI 服務器對電感器的需求,并合理選型,成為提升 AI 服務器性能與可靠性的關鍵環(huán)節(jié)。
在當今高速發(fā)展的電子信息時代,DDR2 和 DDR3 作為廣泛應用的內(nèi)存技術,其性能優(yōu)劣直接影響著電子設備的整體表現(xiàn)。而在 DDR2/DDR3 的設計過程中,阻抗控制已成為一個至關重要的環(huán)節(jié),對整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性和高速數(shù)據(jù)傳輸能力起著決定性作用。
過孔由鉆孔(drill hole)以及外圍焊盤共同構成,其尺寸的選擇需嚴格遵循以下原則:內(nèi)徑與外徑規(guī)范:全通過孔的內(nèi)徑應大于等于 0.2mm(8mil),外徑則應大于等于 0.4mm(16mil);在極限情況下,外徑可縮小至 0.35mm(14mil)。
靜電放電即ESD(Electro-Staticdischarge),是指具有不同靜電電位的物體互相靠近或直接接觸引起的電荷轉(zhuǎn)移。
在當今集成電路設計領域,低功耗設計已成為關鍵需求,特別是在移動設備、物聯(lián)網(wǎng)設備等對功耗敏感的應用中。然而,隨著芯片設計規(guī)模的不斷擴大和復雜度的增加,低功耗設計中的漏洞定位變得愈發(fā)困難。EnFortius?凝鋒?低功耗靜態(tài)驗證工具應運而生,其支持UPF3.1標準,為超大規(guī)模設計中的低功耗漏洞定位提供了強大的解決方案。
在集成電路設計領域,電子設計自動化(EDA)工具是不可或缺的。隨著芯片設計復雜度的不斷提高,對計算資源的需求呈指數(shù)級增長。傳統(tǒng)的本地計算模式面臨著算力瓶頸、成本高昂以及資源利用率低等問題。將EDA上云,利用云計算的分布式驗證與彈性算力調(diào)度技術,成為解決這些問題的有效途徑。
在自動駕駛技術飛速發(fā)展的當下,自動駕駛芯片作為核心部件,其可靠性驗證至關重要。多傳感器數(shù)據(jù)融合為自動駕駛提供了全面的環(huán)境感知,而功能安全則保障了車輛在各種情況下的安全運行。將多傳感器數(shù)據(jù)融合與功能安全進行協(xié)同設計,并開展可靠性驗證,是確保自動駕駛芯片穩(wěn)定、安全工作的關鍵。
在RISC-V生態(tài)蓬勃發(fā)展的當下,電子設計自動化(EDA)工具的適配成為推動其廣泛應用的關鍵。RISC-V的開源特性為EDA工具帶來了新的機遇與挑戰(zhàn),從開源協(xié)議棧移植到實現(xiàn)高性能驗證,是構建完整RISC-V設計流程的重要環(huán)節(jié)。
隨著量子計算技術的飛速發(fā)展,量子電子設計自動化(EDA)工具鏈的重要性日益凸顯。量子糾錯電路綜合與量子門映射算法作為量子EDA工具鏈中的關鍵環(huán)節(jié),對于實現(xiàn)穩(wěn)定、高效的量子計算至關重要。本文將深入探討這兩個方面的內(nèi)容,并給出相關代碼示例。
在電子設計自動化(EDA)領域,設計規(guī)則檢查(DRC)是確保芯片設計符合制造工藝要求的關鍵環(huán)節(jié)。隨著芯片設計復雜度的不斷提高,DRC違規(guī)數(shù)量呈指數(shù)級增長,傳統(tǒng)的人工檢查方法已難以滿足高效、準確的需求。機器學習(ML)技術的興起為DRC違規(guī)分類和定位帶來了新的機遇,通過訓練模型自動識別和分類違規(guī)問題,能夠顯著提高檢查效率和準確性。
在集成電路(IC)設計領域,隨著工藝節(jié)點的不斷縮小和設計復雜度的急劇增加,傳統(tǒng)的設計驗證流程面臨著巨大的挑戰(zhàn)。左移(Shift Left)策略作為一種新興的設計方法,旨在將驗證活動提前到設計流程的早期階段,以便盡早發(fā)現(xiàn)和解決問題,從而降低后期修復成本,提高設計質(zhì)量和效率。Calibre DesignEnhancer作為一款先進的電子設計自動化(EDA)工具,提供了強大的早期EMIR(電遷移/電壓降/可靠性)簽核驗證功能,為左移策略的實施提供了有力支持。
隨著半導體技術的飛速發(fā)展,3D集成電路(3D IC)憑借其高集成度、低功耗和卓越性能等優(yōu)勢,成為推動電子系統(tǒng)持續(xù)進步的關鍵力量。然而,3D IC的復雜結(jié)構以及日益嚴苛的性能和可靠性要求,使得在其整個生命周期內(nèi)進行持續(xù)維護和優(yōu)化變得至關重要。硅生命周期管理(SLM)作為一種新興范式,通過監(jiān)控、分析和優(yōu)化半導體器件的設計、制造、測試和部署過程,為3D IC的發(fā)展提供了有力支持。
隨著芯片設計復雜度的提升,Chiplet(芯粒)技術憑借其高良率、低成本和異構集成優(yōu)勢成為行業(yè)焦點。然而,Chiplet間通過高密度互連(如硅中介層或再分布層RDL)實現(xiàn)的高速鏈路,面臨信號完整性的嚴峻挑戰(zhàn)。特別是在數(shù)據(jù)速率達到56Gbps甚至更高的場景下,串擾、反射和損耗等問題尤為突出。本文將探討光電混合建模與S參數(shù)提取技術在Chiplet間高速鏈路信號完整性仿真中的應用。