點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們！德州儀器最新推出了面向Type-C/USBPD應(yīng)用的升降壓變換器TPS55288，以優(yōu)異的功率密度、整體方案尺寸、熱性能以及高性價(jià)比領(lǐng)先于市場(chǎng)同類產(chǎn)品。效率高?PPS多口充電頭顯示器?Patient...

編將為大家?guī)鞰PS MPQ4488T的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。

選取同步Buck降壓變換器輸入電容時(shí)，要根據(jù)其電流波形，計(jì)算有效值的電流。當(dāng)上管開通時(shí)，下管關(guān)斷；上管關(guān)斷時(shí)，下管導(dǎo)通續(xù)流，其電流的通路分別如圖1、圖2所示。 圖1：上管開通時(shí)電流的通路 圖2：上管關(guān)斷時(shí)電流的通路? 如...

選取同步Buck降壓變換器輸入電容時(shí)，要根據(jù)其電流波形，計(jì)算有效值的電流。當(dāng)上管開通時(shí)，下管關(guān)斷；上管關(guān)斷時(shí)，下管導(dǎo)通續(xù)流，其電流的通路分別如圖1、圖2所示。 圖1：上管開通時(shí)電流的通路 圖2：上管關(guān)斷時(shí)電流的通路? 如...

便攜式消費(fèi)類電子產(chǎn)品集成了越來越多的新功能。隨著用戶對(duì)更小尺寸、更長電池壽命的期盼，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員面臨著更大的挑戰(zhàn)。每種新增功能都需要額外的空間和額外的功率，這

1.MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電平的上升時(shí)間和下降時(shí)間功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn)，因而非常適合用作開關(guān)電源(switch-mode power supplies，SMPS)的整流組件，不過

摘要：提出了一種小型可調(diào)壓DC-DC降壓變換器的結(jié)構(gòu)。主電路由MOSFET管、電感器及濾波電容器構(gòu)成。通過PWM波控制，由于PWM波的驅(qū)動(dòng)能力較差，設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路通過與PWM發(fā)生器一

改變一下電阻，即可改變成15V、16V、18V、20V、22V、24V等不同類型電壓值。 　　L1用直徑2cm的磁環(huán),1.7的聚酯漆包線緊密穿繞35匝,然后用硅橡膠密封,否則容易產(chǎn)生滋滋聲。

采用功率MOSFET晶體管和二極管表示的BUCK變換器a.V導(dǎo)通時(shí)此時(shí)，電源經(jīng)電感線圈向負(fù)載供電，同時(shí)，電感線圈貯存能量。采用功率MOSFET晶體管和二極管表示的BUCK變換器b.V截止

倒相器Ula和Ul b組成一個(gè)20kHz振蕩器，振蕩器的方波輸出（一方面由D2. R4和R5整形，另一方面由D5. R6和R7整形）驅(qū)動(dòng)功率場(chǎng)效應(yīng)管Q2和Q3。這兩只分別為P溝道和N溝道的場(chǎng)效應(yīng)

三星173B液晶顯示器DC／DC變換器電路如圖所示。

最基本的斬波電路如圖形1所示，斬波器負(fù)載為R，當(dāng)開關(guān)S合上時(shí)，uo=uR=Ud,并持續(xù)t1時(shí)間。當(dāng)開關(guān)切斷時(shí)uo=uR=0,并持續(xù)t2時(shí)間，T=t1+t2為斬波器的工作周期，斬波器的輸出波形見

目前，高頻、高效的DC/DC轉(zhuǎn)換器在汽車電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來越多。高開關(guān)頻率可以使用較小的功率電感和輸出濾波電容，從而減小系統(tǒng)的體積，提高緊湊性并降低成本。高工作效率

在該電路中，IC1產(chǎn)生準(zhǔn)確的100Hz脈沖，經(jīng)IC2 JK觸發(fā)器二分頻變成50Hz方波，并驅(qū)動(dòng)功率管VT1和VT2交替導(dǎo)通變成50Hz方波，再經(jīng)變壓器T升壓成220V方波輸出。IC3把12V變成+5V做

DC變換器電路圖

ISL6752是一個(gè)高性能、少引腳數(shù)ZVS全橋PWM控制器。像英特賽爾公司的ISL6551，它獲得的ZVS工作是通過驅(qū)動(dòng)上邊橋MOSFET在一個(gè)固定的50％占空比，下邊橋MOSFET在跟隨沿被諧振開

ISL6752是一個(gè)高性能、少引腳數(shù)ZVS全橋PWM控制器。像英特賽爾公司的ISL6551，它獲得的ZVS工作是通過驅(qū)動(dòng)上邊橋MOSFET在一個(gè)固定的50％占空比，下邊橋MOSFET在跟隨沿被諧振開關(guān)延遲調(diào)制。和更為熟悉...

該電路晶體管采用單邊乙類放大工作方式。利用電位器R3可以調(diào)整晶體管的放大倍數(shù)。如果負(fù)載部分包括無功分量，則必須考慮到相應(yīng)的頻率變化量。主要技術(shù)數(shù)據(jù)：電池電壓：12V 電池電流：2.5V 輸出電壓：220V，50Hz額...