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單一P溝道MOSFET器件（飛兆）

時(shí)間：2009-07-29 00:31:35

關(guān)鍵字： MOSFET 器件飛兆封裝

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[導(dǎo)讀]飛兆半導(dǎo)體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機(jī)、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時(shí)提供64

飛兆半導(dǎo)體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機(jī)、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時(shí)提供64mOhm之RDS(ON) 值，較同類解決方案低15%，且占位面積僅為1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同時(shí)減少了電路板空間需求。該器件采用WL-CSP封裝，比占位面積相似的傳統(tǒng)塑料封裝MOSFET具有更佳功耗和傳導(dǎo)損耗特性。FDZ197PZ具有比其它的同級(jí)MOSFET器件更強(qiáng)大的靜電放電(ESD)保護(hù)功能(4kV)，能夠保護(hù)器件避免可能導(dǎo)致應(yīng)用失效的ESD事件之應(yīng)力影響。

P溝道MOSFET器件FDZ197PZ采用飛兆半導(dǎo)體性能先進(jìn)的PowerTrench® MOSFET工藝技術(shù)制造，可以達(dá)到更低的RDS (ON) 、更高的負(fù)載電流和更小的封裝尺寸。這款WL-CSP 封裝備有6 x 300µm無鉛焊球，以用于電路板連接，提供了比其它的WL-CSP引腳輸出更出色的電氣性能和熱阻。其安裝時(shí)封裝高度僅為0.65mm，為薄型產(chǎn)品設(shè)計(jì)提供了便利。

FDZ197PZ 是飛兆半導(dǎo)體全面的先進(jìn)MOSFET產(chǎn)品系列的一部分，能夠滿足業(yè)界對(duì)緊湊、低側(cè)高、高性能MOSFET的需求，適用于充電、負(fù)載開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換和升壓應(yīng)用。

價(jià)格(訂購1000個(gè)，每個(gè)): 0.35美元
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