雙MOSFET解決方案（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)業(yè)界領(lǐng)先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 DC-DC 設(shè)計(jì)提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側(cè)) 和同步 (低側(cè)) 30V N溝道MOSFET，二者均使用的專(zhuān)用先進(jìn)高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術(shù)，提供出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD)，這些性能最大限度地減少傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗，帶來(lái)更高效率。FDMC8200高側(cè)RDS(ON) 通常為24mOhm，低側(cè)則為9.5mOhm，可提供9A以上電流供主流計(jì)算應(yīng)用，而經(jīng)優(yōu)化的引腳輸出和占位面積，為布局和路由帶來(lái)便利，并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。
FDMC8200通過(guò)先進(jìn)的封裝技術(shù)和專(zhuān)有PowerTrench 7工藝，節(jié)省空間并提升熱性能，解決DC-DC應(yīng)用的主要設(shè)計(jì)難題。采用緊湊型高熱效3mm x 3mm Power33 MLP封裝和PowerTrench 7技術(shù)，其本身能夠提供高功率密度、高功率效率和出色的熱性能。
這款雙MOSFET器件是飛兆半導(dǎo)體廣泛的先進(jìn)MOSFET技術(shù)產(chǎn)品系列的一部分，全系列均擁有廣闊的擊穿電壓范圍和現(xiàn)代化的封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高效的功率管理和低熱阻的特點(diǎn)。同系列其它產(chǎn)品包括集成了FET模塊的FDMS9600S 和FDMS9620S器件，同樣能夠顯著減少電路板空間，并提升同步降壓設(shè)計(jì)以達(dá)到更高的轉(zhuǎn)換效率。
單價(jià)(訂購(gòu)1000個(gè))：0.50美元
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下載文檔傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類(lèi)為線(xiàn)性器件，因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無(wú)法被夾斷，因此不適合數(shù)字開(kāi)關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...
關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)字開(kāi)關(guān)J.D. Power | 君迪正式發(fā)布2022中國(guó)售后服務(wù)滿(mǎn)意度研究SM（CSI）。研究顯示，2022年中國(guó)汽車(chē)行業(yè)整體售后服務(wù)滿(mǎn)意度較2021年下降。其中，主流車(chē)與豪華車(chē)之間的售后服務(wù)滿(mǎn)意度差距持續(xù)縮小。消費(fèi)者對(duì)于售后...
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關(guān)鍵字： 通信 網(wǎng)絡(luò) APPLICATIONS POWER為了最大限度地減少開(kāi)關(guān)階段的功耗，必須盡快對(duì)柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場(chǎng)提供了特殊的電路來(lái)最小化這個(gè)過(guò)渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流，則功率損耗會(huì)降低，因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來(lái)說(shuō)，柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)...
關(guān)鍵字： 柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET
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