100V高速同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器（Linear）
時(shí)間：2007-12-02 09:04:00
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[導(dǎo)讀]凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高輸入電源電壓 (100V) 同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4444，該器件用于在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動(dòng)高端和低端功率的 N 溝道 MOSFET。
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高輸入電源電壓 (100V) 同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4444，該器件用于在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動(dòng)高端和低端功率的 N 溝道 MOSFET。這個(gè)驅(qū)動(dòng)器可與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司的很多 DC/DC 控制器一起組成完整的高效率同步轉(zhuǎn)換器。
這個(gè)強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器可采用 1.2Ω 的下拉阻抗和提供高達(dá) 2.5A 的電流以驅(qū)動(dòng)高端 MOSFET，而采用 0.55Ω 下拉阻抗可提供 3A 電流以驅(qū)動(dòng)低端 MOSFET，非常適用于驅(qū)動(dòng)高柵極電容、大電流 MOSFET。LTC4444 還可以為較大電流應(yīng)用驅(qū)動(dòng)多個(gè)并聯(lián) MOSFET。當(dāng)驅(qū)動(dòng) 1000pF 負(fù)載時(shí)，高端 MOSFET 的 8ns 快速上升時(shí)間、5ns 下降時(shí)間和低端 MOSFET 的 6ns 上升時(shí)間、3ns 下降時(shí)間最大限度地減小了開關(guān)損耗。該器件集成了自適應(yīng)貫通保護(hù)，以最大限度地縮短死區(qū)時(shí)間，同時(shí)防止高端和低端的 MOSFET 同時(shí)導(dǎo)通。
LTC4444 為兩個(gè)不受電源影響的輸入而配置。高端輸入邏輯信號(hào)的電平從內(nèi)部被移位到自舉電源，這可能在比地高 114V 時(shí)正常工作。另外，這個(gè)器件在 7.2V 至 13.5V 的范圍內(nèi)驅(qū)動(dòng)高端和低端的 MOSFET 柵極。
LTC4444EMS8 和 LTC4444IMS8 都采用耐熱增強(qiáng)型 MSOP-8 封裝，以 1,000 片為單位批量購(gòu)買，每片價(jià)格為 1.69 美元。
性能概要：LTC4444
• 高速/高壓同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
• 100V 最大電源電壓
• 高驅(qū)動(dòng)電流：提供 3A 電流，采用 0.55Ω 吸收電流
• 7.2V 至 13.5V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓
• 自適應(yīng)貫通保護(hù)
• 驅(qū)動(dòng) 1000pF 負(fù)載時(shí)，高端柵極 8ns 上升時(shí)間和 5ns 下降時(shí)間
• 驅(qū)動(dòng) 1000pF 負(fù)載時(shí)，低端柵極 6ns 上升時(shí)間和 3ns 下降時(shí)間
• 欠壓閉鎖用于提供柵極驅(qū)動(dòng)電壓
• 耐熱增強(qiáng)型 MSOP-8 封裝
這個(gè)強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器可采用 1.2Ω 的下拉阻抗和提供高達(dá) 2.5A 的電流以驅(qū)動(dòng)高端 MOSFET，而采用 0.55Ω 下拉阻抗可提供 3A 電流以驅(qū)動(dòng)低端 MOSFET，非常適用于驅(qū)動(dòng)高柵極電容、大電流 MOSFET。LTC4444 還可以為較大電流應(yīng)用驅(qū)動(dòng)多個(gè)并聯(lián) MOSFET。當(dāng)驅(qū)動(dòng) 1000pF 負(fù)載時(shí)，高端 MOSFET 的 8ns 快速上升時(shí)間、5ns 下降時(shí)間和低端 MOSFET 的 6ns 上升時(shí)間、3ns 下降時(shí)間最大限度地減小了開關(guān)損耗。該器件集成了自適應(yīng)貫通保護(hù)，以最大限度地縮短死區(qū)時(shí)間，同時(shí)防止高端和低端的 MOSFET 同時(shí)導(dǎo)通。
LTC4444 為兩個(gè)不受電源影響的輸入而配置。高端輸入邏輯信號(hào)的電平從內(nèi)部被移位到自舉電源，這可能在比地高 114V 時(shí)正常工作。另外，這個(gè)器件在 7.2V 至 13.5V 的范圍內(nèi)驅(qū)動(dòng)高端和低端的 MOSFET 柵極。
LTC4444EMS8 和 LTC4444IMS8 都采用耐熱增強(qiáng)型 MSOP-8 封裝，以 1,000 片為單位批量購(gòu)買，每片價(jià)格為 1.69 美元。
性能概要：LTC4444
• 高速/高壓同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
• 100V 最大電源電壓
• 高驅(qū)動(dòng)電流：提供 3A 電流，采用 0.55Ω 吸收電流
• 7.2V 至 13.5V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓
• 自適應(yīng)貫通保護(hù)
• 驅(qū)動(dòng) 1000pF 負(fù)載時(shí)，高端柵極 8ns 上升時(shí)間和 5ns 下降時(shí)間
• 驅(qū)動(dòng) 1000pF 負(fù)載時(shí)，低端柵極 6ns 上升時(shí)間和 3ns 下降時(shí)間
• 欠壓閉鎖用于提供柵極驅(qū)動(dòng)電壓
• 耐熱增強(qiáng)型 MSOP-8 封裝
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