Vishay改進ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進行了改進，為設(shè)計者提供更好的仿真精度、效率和用戶友好度。
Vishay的ThermaSim是一個免費工具，可讓設(shè)計者在制造原型前，對器件進行細致的熱仿真，從而加快產(chǎn)品上市。ThermaSim是首款使用結(jié)構(gòu)復(fù)雜的功率MOSFET模型的在線MOSFET仿真工具，使用有限元分析(FEA)技術(shù)生成的MOSFET模型提高了仿真精度。
設(shè)計者還可以定義其他散熱器件，并仿真這些元器件對MOSFET熱行為造成的影響。通過對器件進行仿真，能夠保證針對應(yīng)用的標準選出最佳的器件，消除熱性能實際測試中的不良后果。
ThermaSim可用于任何功率MOSFET，而且特別適用于大電流、高溫應(yīng)用，例如汽車、固定通信、桌面和筆記本電腦，以及工業(yè)系統(tǒng)。
Vishay在以下方面對ThermaSim進行了改進：
改進仿真精度：
• 器件焊盤/占位與元器件模型是分開的
• 更高的內(nèi)部/外部網(wǎng)格分辨率
• 新特性：
• 用戶可以定義和評估焊錫厚度的影響(從0.1mm規(guī)定厚度的100%到150%)
• 現(xiàn)在，用戶可以定義元器件和散熱片之間導(dǎo)熱膠的厚度
• 器件模型已經(jīng)考慮到器件和可用PCB板表面之間的氣隙
• 更多PCB、散熱片和導(dǎo)熱絕緣體材料
改進仿真效率：
• 改進網(wǎng)格生成方式
• 更小的pdf文檔
改進用戶友好度：
• 提供多個可下載到用戶環(huán)境中進行修改、保存和使用的完整示例
• 提供用戶提示
• 限制寄生參數(shù)范圍和防止錯誤輸入
• 可選擇穩(wěn)態(tài)、瞬態(tài)或RC網(wǎng)絡(luò)仿真
• 更好的選擇/操作：
• 在PCB上不同位置的相同器件
• 從側(cè)視圖選擇/編輯內(nèi)部PCB層
• 從俯視圖中通過框選進行選擇/編輯
• 選擇/編輯焊錫厚度
• 更好的文檔功能：
• 在運行仿真前，提供整個仿真的可擴展摘要樹
• 將文件名和定義的注釋文本區(qū)返回到仿真結(jié)果
增強版的ThermaSim現(xiàn)已上線，請訪問http://www.vishay.com/mosfets/thermasim，免費使用。
下載文檔傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因為源極和漏極之間的傳導(dǎo)通道無法被夾斷，因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個耗盡型 MOSFET——只...
關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)字開關(guān)該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個MOSFET和一個續(xù)流二極管，MOSFET提供交流發(fā)電機勵磁電流，當(dāng)勵磁關(guān)閉時，續(xù)流二極管負責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機閉環(huán)運行具有負載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制，當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時，使輸...
關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管
