采用高能效40納米制造工藝和節(jié)能創(chuàng)新技術(shù)，使各個工作模式功耗更低 基于Arm?嵌入式處理器內(nèi)核，集成先進(jìn)安全功能、優(yōu)秀圖形處理性能和各類外設(shè)接口，滿足消費電子和工業(yè)應(yīng)用的嚴(yán)格要求
中國，2021 年 10 月 8 日——意法半導(dǎo)體推出了新一代汽車智能開關(guān)模塊VN9D30Q100F 和 VN9D5D20FN，這是市場上首款在片上全數(shù)字診斷功能中增加了數(shù)字電流檢測回路的驅(qū)動芯片，為12V 電池供電汽車系統(tǒng)高邊連接專門設(shè)計，可簡化電控單元 (ECU) 的硬件和軟件設(shè)計，并增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性。
中國，2021年10月9日--意法半導(dǎo)體的STWLC98 高集成度無線充電接收器芯片為各種便攜式和移動設(shè)備帶來更快的無線充電和靈活的電量共享功能，適合家庭、辦公、工業(yè)、醫(yī)療保健和車載應(yīng)用。當(dāng)與 STWBC2-HP發(fā)射器芯片配套使用時，整套的無線充電收發(fā)系統(tǒng)可在保證高系統(tǒng)能效的同時在接收器端提供高達(dá)70W 的電能輸出。
出品?21ic中國電子網(wǎng)劉巖軒網(wǎng)站：21ic.com2021年一個繞不開的話題是“雙碳”，各行各業(yè)都在向著節(jié)能減排的方向努力，其中半導(dǎo)體廠商扮演著重要的角色——如何設(shè)計出創(chuàng)新的器件來提高能源利用效率，同時提升自身的生產(chǎn)效率來減少排放，是半導(dǎo)體廠商努力的共同方向。早在去年12月，意法半導(dǎo)體（ST）就承諾將在公司成立40周年前（2027年）實現(xiàn)碳中和，早于所有全球半導(dǎo)體廠商。而在近日其ACEPACKDriveADP86012W2也榮獲了2021年第十九屆TOP10POWER電源產(chǎn)品獎。21ic特地針對這一話題采訪了意法半導(dǎo)體功率與分立產(chǎn)品大中華區(qū)總監(jiān)周志強(qiáng)，他對于ST碳化硅產(chǎn)品上的發(fā)展規(guī)劃和公司投...
符合 GSMA 標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)和車用SIM/eSIM芯片，現(xiàn)在可通過代理商訂購 配備物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備連接蜂窩網(wǎng)絡(luò)所需的全部服務(wù) 提供行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的外形尺寸和芯片級封裝
中國，2021 年 9 月24 日 -- 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體，發(fā)布了新的STM32WB無線微控制器(MCU)開發(fā)工具和軟件，為智能建筑、智能工業(yè)和智能基礎(chǔ)設(shè)施的開發(fā)者降低設(shè)計經(jīng)濟(jì)、節(jié)能的無線設(shè)備的難度。
中國，2021 年 9月 22 日--服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體宣布贏得了首個LoRa系統(tǒng)芯片(SoC)STM32WLE5*的設(shè)計訂單。
點擊“意法半導(dǎo)體PDSA"，關(guān)注我們！中國，2021年8月9日——針對隔離型降壓穩(wěn)壓器設(shè)計，意法半導(dǎo)體的A6986I和L6986IDC/DC變換器芯片優(yōu)化了產(chǎn)品特性，具有寬輸入電壓范圍和低靜態(tài)電流，確保變換器在汽車和工業(yè)應(yīng)用中穩(wěn)定、高效運行，最高輸出功率5W。如果系統(tǒng)需要一個非隔...
STM32 MCU、運動溫度傳感器、STSAFE-A 安全模塊和其他產(chǎn)品助力高安全性、高能效的嵌入式蜂窩設(shè)備云連接數(shù)據(jù)泵
中國，2021年9月9日——意法半導(dǎo)體的 STDRIVEG600半橋柵極驅(qū)動器輸出電流大，高低邊輸出信號傳播延遲相同，都是45ns，能夠驅(qū)動 GaN 增強(qiáng)型 FET 高頻開關(guān)。
羅徹斯特電子與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者——意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)正式展開合作。
氮化鎵(GaN)是一種III-V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4 eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率分別為1.1 eV和1,400 cm2/Vs。
點擊“意法半導(dǎo)體PDSA"，關(guān)注我們！MASTERGAN3、MASTERGAN4、以及MASTERGAN5器件現(xiàn)在已發(fā)貨至分銷商處，支持工程師創(chuàng)建新的應(yīng)用。MASTERGAN3的低側(cè)電阻為225mΩ，高側(cè)電阻為450mΩ。另一方面，MASTERGAN4的低側(cè)和高側(cè)電阻均為225m...
??點擊上方?“?意法半導(dǎo)體PDSA”，關(guān)注我們????????????????????????????????為了更方便的轉(zhuǎn)型到高能效的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，意法半導(dǎo)體發(fā)布了MasterGaN3*和MasterGaN5兩款集成功率系統(tǒng)封裝，分別面向高達(dá)45W和150W的功率變換應(yīng)用...
??點擊上方?“?意法半導(dǎo)體PDSA”，關(guān)注我們????????氮化鎵(GaN)是???一種III-V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率分別為1.1eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有性質(zhì)讓器件具有更...
意法半導(dǎo)體（ST）成立于1988年6月，由意大利SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成，是半導(dǎo)體工業(yè)最具創(chuàng)新力的公司之一。
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