醫(yī)學技術一直是CCD(電荷耦合設備)圖像傳感器的重要應用領域之一?，F(xiàn)在，CMOS傳感器已進入高速發(fā)展時期。究其原因，首先，CMOS圖像質量可與CCS圖像相媲美。其次，利用標準半導體制造工藝，CMOS傳感器在價格方面占據很大優(yōu)勢。第三，CMOS傳感器在電路集成方面的無限潛力可以減少輸入輸出接口數(shù)量。以一種使用一次后即可丟棄的特殊CMOS圖像傳感器為基礎，一種新型的低成本結腸鏡已經得到開發(fā)。這種結腸鏡無需對結腸病診療設備進行成本高昂的殺菌操作，因此避免了出現(xiàn)任何感染的可能。這種設備尺寸很小，能夠完成幾乎無痛的檢查。

由于CCD圖像傳感器具有分辨率高、噪聲低、暗電流小以及感光范圍大等諸多優(yōu)點，醫(yī)學圖像采集一直是這種圖像傳感器的重要應用領域。另一方面，CMOS傳感器近年來取得的發(fā)展，特別是在使用小尺寸像素獲得高分辨率以及降低噪聲和暗電流水平等方面取得的成就，已使CMOS傳感器成為一種應用越來越廣泛的低成本設備。從X射線圖像采集以及內窺鏡檢查的各個領域，到具有自主特點的“藥丸中的相機”，CMOS傳感器的應用領域可謂包羅萬象。

CMOS技術的特點

互補性金屬氧化半導體(CMOS)技術的天然優(yōu)勢在于，這種技術能夠在傳感器芯片上加入CMOS邏輯電路，從而將圖像采集與控制、轉換及傳感等功能融為一體[1]。其高集成密度又使小型單芯片系統(tǒng)的實現(xiàn)成為可能。將更多系統(tǒng)功能集成在一起以開發(fā)出自主光電傳感器系統(tǒng)，這一目標的實現(xiàn)目前僅受投資回報、市場容量以及開發(fā)成本等經濟因素的制約。

單芯片解決方案由于外部元件和互連數(shù)目較少等優(yōu)點而在同類解決方案中脫穎而出，這些優(yōu)點對于直徑很小的內窺鏡來說具有非常重要的意義。

高度集成是低成本的代名詞，CMOS圖像傳感器因此得到了各種類型內窺鏡應用的青睞。由于電能消耗較低，CMOS圖像傳感器還適用于自主小型相機的制造，此類相機可安裝在藥丸大小的盒內，并可將數(shù)據無線傳輸至接收站。

此外，CMOS技術還可用于防輻射產品的生產，這種產品與CMOS圖像傳感器相比通常具有較強的耐致電離輻射性(ionizingradiation)[2]。利用較厚的外延層或逆光對CMOS技術稍加改進，可以使傳感器的近紅外(NIR)感光度得到提高，從而導致全新的醫(yī)學圖像處理應用(如基于近紅外線的X線斷層攝影［3］)。具備成本效益的拼接技術能夠利用8英寸晶圓、未來還可使用12英寸晶圓生產出大型(可達晶圓級)CMOS圖像傳感器。
 
用于內窺鏡的小型圖像傳感器

為了制造出新型的一次性內窺鏡(圖1)，德國Kissing市的STMMedizintechnik公司［4］需要低成本圖像傳感器，而這種傳感器只有使用CMOS技術才能生產。為此，CMOS圖像傳感器領域的專家賽普拉斯/FillFactory利用0.35μmCMOS加工技術成功開發(fā)出了小型彩色圖像傳感器BOCA。BOCA擁有9mm2傳感器面積，由512×512各邊長6μm的方形像素組成。這種傳感器高達58%的填充因子是產品具備高感光度的有力保證(圖2)。    



傳感器光譜響應范圍為400至1000納米。像素頻率為10MHz，在50毫秒集成時間下輸出為20fps?？扉T選擇觸發(fā)卷簾式快門(triggeredrollingshutter)。在20fps的全速下，這種圖像傳感器的消耗功率約為36mW。時鐘發(fā)生器及固定圖案噪聲(FPN)校正都集成在芯片上。圖像傳感器原型被用來確保產品與目標規(guī)格相符，從中可以看出在制造過程中產生的可忽略偏差。噪聲測量結果為63eˉ，在可接受范圍之內；信噪比為522:1，動態(tài)范圍為54dB。室溫條件下的暗電流為78pA/cm2；體溫條件下(37℃)的暗電流為188pA/cm2。

填充因子與量子效率

為了獲得更高的感光度、更短的曝光時間以及盡可能小的像素尺寸，圖像傳感器應充分發(fā)揮可利用光子的作用。填充因子和量子效應的乘積FF×QE(圖3)是量度像素感光度的重要是量度像素感光度的重要因素。量子效率是指一個像素被光子撞擊后產生的實際和理論最大值電子數(shù)的歸一化值。QE小于單一整數(shù)，取決于波長以及給定材料。由于以下原因，在實際應用中許多光子被丟失：    



 *未能被吸收到光敏層內部，以及在重組過程中電荷載體被丟失
    幾何填充因子FF是有效(感光)像素面積與像素總面積之比(像素邊界與電路)。

CMOS圖像傳感器屬于有源像素(有源像素傳感器，APS)(圖4)，即光電二極管與后繼放大器，其噪聲水平與感光度堪與CCD轉換器相媲美。這種傳感器的缺點在于，放大器晶體管占據了過多的像素面積，光電二極管只有很小的空間可以利用。有源像素填充因子還受以下因素的制約：


 *金屬鍍層或硅化物引起的光子反射或吸收；
    *放大器勢壘中聚集的光電子無法為信號發(fā)生發(fā)揮作用；
    *較小的可用感光勢壘；
    *光電子(或空洞)與可用的電荷負載重新結合，限制了擴散長度。