因只讀存儲器的基本存儲單元只進行一次編程，編程后的數(shù)據(jù)能長時間保存，且在編程時需要流過mA級以上的電流，所以只讀存儲器編程時通常采用外加編程高壓，內(nèi)部的電荷泵。在設計此類電荷泵時，擊穿電壓和體效應的影響成為嚴重的問題。我們設計了一款電荷泵用以在存儲器中傳遞外部編程高壓。這種電荷泵利用高壓NMOS器件提高了耐壓特性并保證了正常工作，且增加了襯底偏置以縮短電荷泵的穩(wěn)定時間。

電荷泵電路結(jié)構(gòu)和工作原理
1 常壓MOS管電荷泵
圖1所示是初步提出的電荷泵電路原理圖，其中所有的器件均為常壓器件。

圖1 常壓MOS管構(gòu)成的電荷泵原理圖

初始化過程中，clear信號為低電平。此時N5管打開，將節(jié)點4清零；由于N4柵極始終接高電平，N4管打開，將節(jié)點3清零。

初始化結(jié)束后電荷泵進入工作狀態(tài)。Vp為外加編程高壓，clear信號保持高電平，clk信號為固定周期的方波信號。N4柵極恒為高電平，因此會將clear信號的高電平傳輸?shù)焦?jié)點3，節(jié)點3的初始電壓為V3.0=VDD-VTH4。節(jié)點5為與clk信號周期相同、相位反相的方波信號。以下依據(jù)節(jié)點5信號的變化具體分析電荷泵的工作原理。

第1周期，節(jié)點5首先維持半個周期的高電平。根據(jù)電荷分享原理，此時節(jié)點2的電壓由電容C1和Cs的分壓決定（其中Cs為節(jié)點2的寄生電容），電壓可表示為：
V2,1=C*VDD/(C1+CS)        (1)

因N2管為飽和接法，節(jié)點3的電壓被鉗位，表達式為：
V3,1=V2,1-VTH2=C1VDD/(C1+CS)-VTH2                           (2)

隨后節(jié)點5轉(zhuǎn)為低電平，節(jié)點2電壓逐漸下降。由于沒有泄放通路，電壓會在節(jié)點3一直保持下去，并且由于C1遠大于節(jié)點2的寄生電容，使得半個高電平周期后節(jié)點3的電壓足以使N1管打開。N1管的開啟使得節(jié)點2的電位不會持續(xù)下降，而是會被鉗位到電壓值。

V’2,1=V2,1-VTH2-VTH1=C1VDD/(C1+CS)-VTH2-VTH1             (3)
這個便是第一周期過后節(jié)點2上形成的電壓值。

第二個周期，同樣的節(jié)點5會經(jīng)歷高電平和低電平各半個周期。這一過程仍然會在節(jié)點3和節(jié)點2上積累電荷。與第一周期類似的推導可得到以下一組表達式：
V2,2=V’2,1+C1VDD/(C1+CS)   (4)
V3,2=V2,2-VTH2                       (5)
V’2,2=V3,2-VTH2=V2,2-VTH2-VTH1=V’2,1+C1VDD/(C1+CS)-VTH2-VTH1  (6)
比較公式（3）和公式（6）可發(fā)現(xiàn)，每一周期節(jié)點2上增加的電壓為：
ΔV=C1VDD/(C1+CS)-VTH2-VTH1  (7)
依次類推，第i個周期節(jié)點5維持高電平時，節(jié)點2和節(jié)點3的電壓為：
V2,i=C1VDD/(C1+CS)+(i+1)[C1VDD/(C1+CS)-VTH2-VTH1]      (8)
V3,i=C1VDD/(C1+CS)-VTH2+(i-1)[(C1+CS)-VTH2-VTH1]            (9)
V’2,i=i[C1VDD/(C1+CS)-VTH2-VTH1]                         (10)
V3不會持續(xù)升高，當?shù)竭_一定值時會通過N1、N3被Vp鉗位，此時電荷泵進入穩(wěn)態(tài)且Vp能完整傳遞到編程節(jié)點4。但在進入穩(wěn)態(tài)之前，V2和V3會在高電平半周達到大于Vp的電壓峰值，隨后在低電平半周穩(wěn)定。

2 高壓MOS電荷泵
理論上分析電荷泵可以正常工作。然而一些潛在的問題可能會引發(fā)電路的不正常工作。

首先，隨著工藝尺寸的縮小，電路所用的電源電壓VDD，能承受的柵源擊穿電壓BVGS、源漏穿通電壓BVDS，漏PN結(jié)擊穿電壓BVDB都降低。若在電荷泵工作過程中，V2和V3升高到高于其中一種擊穿電壓，則會使得器件和電路面臨燒毀或無法正常工作的危險。

其次，考慮體效應的影響器件的閾值電壓在不斷變化。因V2和V3不斷升高，即N1、N2管源極電位不斷升高，考慮襯底偏置效應后器件的閾值電壓由下式給出：
 (11)
 (12)
則隨著震蕩周期數(shù)的增加，VTH2,i和VTH1,i的值不斷增大，在V2和V3達到峰值時體效應影響最為嚴重。這使得一個周期內(nèi)V2和V3提升的電壓值越來越小，導致電荷泵到達穩(wěn)定狀態(tài)所需經(jīng)歷的周期數(shù)增加。更嚴重的情況是，考慮在電荷泵上升且還未達到穩(wěn)態(tài)的過程中，因VTH2,i和VTH1,i變大，如果在某個周期時使得公式（13）成立：
C1VDD/(C1+CS)-VTH2,i-VTH1,i<0 (13)
則每個周期內(nèi)V2抬升的電壓無法維持兩個閾值損失，導致Vp無法傳到編程節(jié)點4。

基于以上討論，對初始提出的電路進行改進，改進后如圖2所示。圖2中將4個需要承受峰值高壓的器件用高壓管代替普通管，以保證電路在V2、V3的尖峰電平下正常工作。高壓器件的選擇視各制造工藝而定，仿真所基于的工藝提供了性能優(yōu)良的高壓器件，使成功提升了電路的耐壓。對于不同工藝可相應從其提供的器件類型中選擇器件，并配合編程電壓的設置來完成耐壓的增強。將N1、N2的襯底電位單獨接出并加上合適的電位以減弱體效應的影響。這樣做的代價是需要額外加入產(chǎn)生這個襯底電位的電路。根據(jù)需求不同，可以產(chǎn)生固定襯底電位或隨源襯電壓變化的跟隨襯底電位。

圖2 高壓MOS器件構(gòu)成電荷泵電路結(jié)構(gòu)圖

仿真結(jié)果
高壓管實現(xiàn)的電荷泵電路基于TSMC 0.18μm工藝進行仿真驗證。設置不同的襯底電位將得出不同的仿真結(jié)果。

如圖3所示為襯底接地的電路仿真波形圖。電源電壓3.3V，時鐘周期106ns，外加編程高壓7.5V，電荷泵在500ns后開始工作。從仿真結(jié)果可以看出，V2和V3的峰值電壓在10V左右，比穩(wěn)態(tài)高出2.5V。對于正常工作在3.3V電源電壓下的常壓普通管而言，峰值電壓必然會帶來不可忽視的危害。此外可得出，電荷泵工作11個時鐘周期后在1.7μs達到7.5V的穩(wěn)態(tài)值。進入穩(wěn)態(tài)之后，僅存在0.2V的紋波，滿足穩(wěn)定編程要求。

圖3 襯底接地電位的仿真波形圖

圖4 襯底接2V電壓的仿真波形圖

襯底接2V電壓的仿真結(jié)果如圖4所示，其余信號與圖3中相同。與圖3相比，峰值電壓相等，但電荷泵的工作時間明顯縮短。數(shù)據(jù)顯示，電荷泵工作9個周期后近似在1.5μs達到7.5V的穩(wěn)態(tài)值。由此證明，體效應對電路影響較大，加合適的襯底電位可明顯較弱其不良影響。