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[導(dǎo)讀]為實(shí)現(xiàn)目標(biāo)識(shí)別與跟蹤的應(yīng)用目的,在基于TMS320DM642的FIFO基礎(chǔ)上擴(kuò)展存儲(chǔ)空間,提出一種基于FPGA實(shí)現(xiàn)SDRAM控制器的方法。分析所用SDRAM的特點(diǎn)和工作原理,介紹FPGA中SDRAM控制器的組成和工作流程,給出應(yīng)用中讀SDRAM的時(shí)序圖。FPGA采用模塊化設(shè)計(jì),增強(qiáng)SDRAM控制器的通用性,更方便地滿足實(shí)際需求。

引 言
   
在利用DSP實(shí)現(xiàn)視頻實(shí)時(shí)跟蹤時(shí),需要進(jìn)行大量高速的圖像采集。而DSP本身自帶的FIFO并不足以支持系統(tǒng)中大量數(shù)據(jù)的暫時(shí)存儲(chǔ),這就要求大的中間緩存,而專用的高速FIFO芯片價(jià)格昂貴且容量受限,大大增加了商業(yè)成本,因此在實(shí)際應(yīng)用中尋找FIFO代替器件是很有必要的。

1 器件選擇
    這里在視頻信號(hào)處理系統(tǒng)中,將利用FPGA作為橋梁,實(shí)現(xiàn)對(duì)SDRAM的控制,以達(dá)到大量高速存取數(shù)據(jù)的功能。之所以選取SDRAM,主要是因?yàn)樵诟鞣N隨機(jī)存取器件中,SDRAM的容量較大,價(jià)格較低,且數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸模式大大提高了存取速度,能夠滿足應(yīng)用的要求。
    FIFO的速度受到兩個(gè)因素的限制:
    (1)SDRAM的最高工作頻率。SDRAM的工作頻率越高,數(shù)據(jù)的傳輸速率就越高;
    (2)SDRAM的突發(fā)長(zhǎng)度。SDRAM的突發(fā)長(zhǎng)度越長(zhǎng),對(duì)數(shù)據(jù)流的吞吐量就越大,可以從某種程度上提高數(shù)據(jù)的傳輸速率。
    FIFO的大小由所選SDRAM芯片的容量來(lái)決定。該設(shè)計(jì)以采用MICRON公司的MT48LC4M3282(4 BANK×4M×32 b)為例,存儲(chǔ)容量為128 Mb,數(shù)據(jù)帶寬為32位,內(nèi)部由4個(gè)BANK組成,每個(gè)BANK有4 096行和256列。
    MT48LC4M3282的控制信號(hào)有CLK(時(shí)鐘信號(hào))、CKE(時(shí)鐘使能)、CS(片選信號(hào))、WE(寫使能)、CAS(列有效)、RAS(行有效)、DQM0~DQM3(輸入輸出使能)??刂菩盘?hào)組成的常用控制命令如表1所示。

2 FIFO系統(tǒng)設(shè)計(jì)
    FIFO系統(tǒng)由FGPA和SDRAM兩部分組成。其中,F(xiàn)GPA內(nèi)部包含F(xiàn)IFO監(jiān)控器、緩沖器、SDRAM控制器三個(gè)模塊。FIFO監(jiān)控器的作用是將FIFO的狀態(tài)轉(zhuǎn)變成狀態(tài)機(jī)的讀、寫信號(hào)。若操作為向SDRAM寫數(shù)據(jù),則在FIFO已滿時(shí),F(xiàn)IFO監(jiān)控器送出一個(gè)信號(hào),以阻止寫操作繼續(xù)向FIFO中寫數(shù)據(jù)而造成溢出;若操作為向SDRAM讀數(shù)據(jù),則在緩沖器已空時(shí),F(xiàn)IFO監(jiān)控器送出一個(gè)信號(hào),以阻止讀操作繼續(xù)從FIFO中讀數(shù)據(jù)而造成無(wú)效數(shù)據(jù)的讀出。FIFO的模塊結(jié)構(gòu)如圖1所示。

    在該設(shè)計(jì)中,攝像頭采用640×480的屏幕分辨率,圖像深度為8,每秒為25幀,圖像數(shù)據(jù)量的大小為圖像中像素總數(shù)與圖像深度的乘積,由此可以得出每幀圖像的大小為2.457 Mb,每秒鐘視頻產(chǎn)生數(shù)據(jù)的大小為61.44 Mb。因?yàn)橄到y(tǒng)向SDRAM控制器寫入和讀出數(shù)據(jù)的速度比較低,約為62 MHz,F(xiàn)PGA的外接晶振CLK為27 MHz,F(xiàn)PGA和SDRAM的工作時(shí)鐘由鎖相環(huán)4倍頻后生成,即為108 MHz,所以SDRAM控制器向SDRAM寫入和讀出數(shù)據(jù)的速率為108 MHz,因此二者屬于不同的時(shí)鐘域,需要用緩沖器作為輸入和輸出的緩存。
    SDRAM控制器的模塊結(jié)構(gòu)如圖2所示,其中SDRAM控制器內(nèi)部包括:初始化模塊、模式寄存器、控制模塊和狀態(tài)機(jī)。SDRAM的接口設(shè)計(jì)是極其關(guān)鍵的,可根據(jù)SDRAM內(nèi)部操作狀態(tài)之間的聯(lián)系,通過(guò)狀態(tài)機(jī)來(lái)實(shí)現(xiàn)接口設(shè)計(jì)。初始化模塊負(fù)責(zé)SDRAM的初始化,在上電和時(shí)鐘穩(wěn)定后等待100 ms,至少執(zhí)行一條空操作,然后對(duì)所有頁(yè)執(zhí)行預(yù)充電操作,使所有頁(yè)處于空閑狀態(tài),接著向各頁(yè)發(fā)出兩條刷新操作指令,最后發(fā)出一個(gè)模式寄存器裝載命令,使SDRAM有確定的狀態(tài)進(jìn)行讀寫操作。模式寄存器可根據(jù)要求對(duì)SDRAM的突發(fā)長(zhǎng)度、突發(fā)類型、CAS延時(shí)的時(shí)鐘數(shù)、運(yùn)行模式和寫突發(fā)模式進(jìn)行設(shè)置,確定SDRAM在讀寫操作時(shí)的工作狀態(tài)。模式寄存器M0~M2用于規(guī)定突發(fā)長(zhǎng)度,可以為1,2,4,8。M3用于規(guī)定突發(fā)類型,當(dāng)M3=0時(shí),突發(fā)類型是連續(xù)的;當(dāng)M3=1時(shí),突發(fā)類型是交錯(cuò)的。M4~M6用于規(guī)定CAS延遲的時(shí)鐘周期數(shù),可以分為1,2,3。M7,M8用于規(guī)定運(yùn)行模式。M9用于規(guī)定寫突發(fā)模式,當(dāng)M9=0時(shí),按實(shí)際編程的突發(fā)長(zhǎng)度存?。划?dāng)M9=1時(shí),按單個(gè)存取單元寫入,但可按實(shí)際編程的突發(fā)長(zhǎng)度讀出。

    狀態(tài)機(jī)是SDRAM控制器的核心控制模塊,其作用主要有兩個(gè)方面:其一是對(duì)各模塊發(fā)出的操作請(qǐng)求進(jìn)行仲裁,在適當(dāng)?shù)臅r(shí)刻作出反映,發(fā)出對(duì)SDRAM適當(dāng)?shù)目刂泼?;其二是協(xié)調(diào)各模塊之間的時(shí)序關(guān)系,滿足對(duì)SDRAM讀寫所必需的時(shí)序要求。狀態(tài)機(jī)的狀態(tài)轉(zhuǎn)移如圖3所示。

    在模式設(shè)定之后,BANK和行地址選中需要訪問(wèn)數(shù)據(jù)所在的具體BANK塊和行,狀態(tài)機(jī)對(duì)這一行發(fā)出激活命令,從激活到讀寫操作需要經(jīng)過(guò)一個(gè)tRCD的延時(shí),設(shè)計(jì)中選tRCD=20 ns,而系統(tǒng)時(shí)鐘周期為9.26 ns,所以從激活到執(zhí)行讀寫操作之間至少需要3個(gè)時(shí)鐘周期。在執(zhí)行讀寫操作時(shí),只要狀態(tài)機(jī)通過(guò)讀寫命令選中數(shù)據(jù)所在行的列地址,就能達(dá)到讀寫具體存儲(chǔ)單元的目的。狀態(tài)機(jī)對(duì)SDRAM發(fā)出一個(gè)讀命令后,需要等待一個(gè)CAS latency,然后才能讀數(shù)據(jù);而寫操作是實(shí)時(shí)的,不需要延時(shí),狀態(tài)機(jī)在發(fā)出寫命令后,就可以對(duì)SDRAM進(jìn)行寫操作。SDRAM同時(shí)只允許一行地址激活,因此在完成某BANK/ROW的讀寫操作后,對(duì)該BANK/ROW進(jìn)行預(yù)充電,然后才能激活下一個(gè)BANK/ROW。從預(yù)充電成功到下一次激活命令成功,如果是在同一個(gè)BANK塊,則需要延時(shí)tRC,如果是不同的BANK塊,則需要延時(shí)tRRD。
    SDRAM要求在64 ms之內(nèi)對(duì)4 096行進(jìn)行刷新,也就是每15.625μs刷新一行。由于系統(tǒng)時(shí)鐘周期為9.26 ns,所以刷新模塊計(jì)數(shù)達(dá)到1 685時(shí),就需要對(duì)SDRAM發(fā)出刷新命令,保證SDRAM中的數(shù)據(jù)不丟失。將自動(dòng)刷新請(qǐng)求設(shè)為優(yōu)先請(qǐng)求,狀態(tài)機(jī)內(nèi)部有請(qǐng)求仲裁邏輯,當(dāng)自動(dòng)刷新請(qǐng)求和其他請(qǐng)求同時(shí)出現(xiàn)時(shí),優(yōu)先保證自動(dòng)刷新請(qǐng)求,狀態(tài)轉(zhuǎn)移至刷新操作,當(dāng)刷新操作結(jié)束時(shí),重新返回空閑狀態(tài),開始響應(yīng)其他請(qǐng)求。

3 工程應(yīng)用介紹
   
該設(shè)計(jì)目的是為了擴(kuò)展TMS320DM642的FIFO容量,以FPGA為接口,實(shí)現(xiàn)與SDRAM的連接。TMS320DM642可以對(duì)4 GB的地址進(jìn)行尋址,而實(shí)際應(yīng)用中FIFO的容量只有256 KB,尋址空間為0x0184000~0x0187FFFF,因此在實(shí)際應(yīng)用中必須進(jìn)行擴(kuò)展。這里采用1片MICRON公司的MT48LC4M3282型號(hào)的128 Mb SDRAM,采用32位數(shù)據(jù)總線,將其通過(guò)FPGA配置在TMS320DM642處理器的EMIFA CE3上,其地址范圍為0xB0000000~0xB7FFFFFF。在該設(shè)計(jì)中,突發(fā)長(zhǎng)度為8,CAS latency為3。圖4為用Modelsim SE 6.0仿真的SDRAM讀時(shí)序圖。

4 結(jié) 語(yǔ)
   
該設(shè)計(jì)已應(yīng)用于目標(biāo)識(shí)別與跟蹤系統(tǒng)中的幀緩沖。文中主要介紹了SDRAM的具體信號(hào)關(guān)系,說(shuō)明各種操作命令,給出在高速圖像存儲(chǔ)系統(tǒng)中SDRAM控制器的具體硬件接口設(shè)計(jì)。大容量存儲(chǔ)器是FIFO的發(fā)展方向,從現(xiàn)在通用的SDRAM、專用的SRAM,到DDR SDRAM,容量越來(lái)越大,速度也越來(lái)越快,而用FPGA作為SDRAM的控制器,具有最大的靈活性,也能在最大限度上發(fā)揮SDRAM高速度的優(yōu)勢(shì),因此對(duì)它進(jìn)行研究具有重要的意義。

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