GaN 作為寬帶隙半導(dǎo)體，允許功率開(kāi)關(guān)在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，并實(shí)現(xiàn)高功率密度。其材料特性使得在相同的物理空間內(nèi)，能夠處理更高的功率，這對(duì)于追求小型化、輕量化但又需要高功率輸出的應(yīng)用場(chǎng)景，如消費(fèi)電子、電動(dòng)汽車充電設(shè)施等，具有極大的吸引力。例如，在手機(jī)快充器中采用 GaN 技術(shù)，能夠在小巧的體積內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的充電功率，大大縮短充電時(shí)間。

高擊穿電壓與廣泛適用性

GaN 材料具有較高的擊穿電壓，適用于 100V 以上的應(yīng)用場(chǎng)景，如工業(yè)電源、太陽(yáng)能逆變器等高壓領(lǐng)域。在這些應(yīng)用中，GaN 開(kāi)關(guān)能夠可靠地承受高電壓，保證電源系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。即使在 100V 以下的各種電源設(shè)計(jì)中，GaN 憑借其高功率密度和快速開(kāi)關(guān)特性，同樣能顯著提升功率轉(zhuǎn)換效率，為不同電壓等級(jí)的電源設(shè)計(jì)提供了更優(yōu)的解決方案。

快速開(kāi)關(guān)特性與高效節(jié)能

GaN 開(kāi)關(guān)的快速開(kāi)關(guān)能力是其重要優(yōu)勢(shì)之一?？焖俚拈_(kāi)關(guān)速度意味著在開(kāi)關(guān)過(guò)程中損耗更低，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的電源轉(zhuǎn)換效率。特別是在高頻應(yīng)用中，GaN 器件能夠有效降低開(kāi)關(guān)損耗，配合較小的磁性元件，進(jìn)一步提高了電源系統(tǒng)的整體效率，減少了能源浪費(fèi)，符合當(dāng)前全球?qū)τ诠?jié)能減排的需求。

在開(kāi)關(guān)模式電源中應(yīng)用 GaN 技術(shù)的挑戰(zhàn)

柵極電壓額定值較低

GaN 開(kāi)關(guān)的柵極電壓額定值通常低于硅 FET。大多數(shù) GaN 制造商建議的典型柵極驅(qū)動(dòng)電壓為 5V，一些器件的絕對(duì)最大額定值為 6V，且建議的柵極驅(qū)動(dòng)電壓和臨界閾值之間裕量較小，一旦超過(guò)臨界閾值，就可能損壞器件。這就要求驅(qū)動(dòng)器級(jí)必須嚴(yán)格限制最大柵極驅(qū)動(dòng)電壓，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)提出了更高的要求。

電源開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的 dv/dt 問(wèn)題

電源開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)處的快速電壓變化(dv/dt)可能導(dǎo)致底部開(kāi)關(guān)誤導(dǎo)通。由于 GaN 器件的柵極電壓非常小，鄰近區(qū)域(如開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)處)發(fā)生的快速電壓變化，容易以電容耦合的方式作用于 GaN 開(kāi)關(guān)的小尺寸柵極，從而使其導(dǎo)通。為解決這一問(wèn)題，需要布置單獨(dú)的上拉和下拉引腳，并精心設(shè)計(jì)印刷電路板布局，以更好地控制導(dǎo)通和關(guān)斷曲線。

死區(qū)時(shí)間的導(dǎo)通損耗

GaN FET 在死區(qū)時(shí)間的導(dǎo)通損耗較高。在死區(qū)時(shí)間內(nèi)，電橋配置的高側(cè)和低側(cè)開(kāi)關(guān)均斷開(kāi)，而低側(cè)開(kāi)關(guān)通常會(huì)產(chǎn)生流經(jīng)低側(cè)開(kāi)關(guān)體二極管的電流。為解決此類死區(qū)時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通損耗較高的問(wèn)題，一種方法是盡可能縮短死區(qū)時(shí)間的時(shí)長(zhǎng)。但同時(shí)，還必須注意高側(cè)和低側(cè)開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通時(shí)間不能重疊，以避免接地端短路，這對(duì)控制電路的精度提出了嚴(yán)格要求。

在開(kāi)關(guān)模式電源中運(yùn)用 GaN 技術(shù)的方法

選用專用 GaN 控制器

對(duì)于希望涉足 GaN 開(kāi)關(guān)模式電源設(shè)計(jì)的企業(yè)，選用專用的 GaN 控制器 IC 是一種有效的方法。例如 ADI 公司的單相降壓 GaN 控制器 LTC7891，這類控制器專為 GaN 開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)，能夠簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)流程，增強(qiáng)系統(tǒng)的穩(wěn)健性。它可以解決 GaN 開(kāi)關(guān)在柵極電壓控制、dv/dt 干擾以及死區(qū)時(shí)間管理等方面的挑戰(zhàn)，通過(guò)集成先進(jìn)的保護(hù)功能和優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路，確保 GaN 開(kāi)關(guān)在電源系統(tǒng)中穩(wěn)定可靠地工作。

利用 GaN 驅(qū)動(dòng)器改造現(xiàn)有電源

如果企業(yè)希望改造現(xiàn)有的電源及其控制器 IC 來(lái)控制基于 GaN 的電源，GaN 驅(qū)動(dòng)器將發(fā)揮重要作用。GaN 驅(qū)動(dòng)器能夠解決 GaN 帶來(lái)的諸如柵極電壓控制、防止誤導(dǎo)通等挑戰(zhàn)，實(shí)現(xiàn)與現(xiàn)有控制器 IC 的兼容，從而以相對(duì)簡(jiǎn)單的方式實(shí)現(xiàn)電源系統(tǒng)對(duì) GaN 開(kāi)關(guān)的應(yīng)用，且保證設(shè)計(jì)的穩(wěn)健性。例如采用 LT8418 驅(qū)動(dòng)器 IC 實(shí)現(xiàn)的降壓穩(wěn)壓器功率級(jí)，通過(guò)合理運(yùn)用 GaN 驅(qū)動(dòng)器，有效提升了電源系統(tǒng)的性能。

借助電路仿真優(yōu)化設(shè)計(jì)

在選定合適的硬件、控制器 IC 和 GaN 開(kāi)關(guān)之后，利用詳細(xì)的電路仿真來(lái)快速獲得初步評(píng)估結(jié)果至關(guān)重要。像 ADI 公司的 LTspice® 提供了完整的電路模型，并且可免費(fèi)用于仿真。通過(guò)仿真，設(shè)計(jì)工程師可以模擬不同工作條件下電源系統(tǒng)的性能，評(píng)估效率、穩(wěn)定性以及熱性能等指標(biāo)，從而對(duì)電路設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化，提前發(fā)現(xiàn)潛在問(wèn)題并加以解決，大大縮短了產(chǎn)品的研發(fā)周期，提高了設(shè)計(jì)的成功率。

總結(jié)與展望

氮化鎵技術(shù)為開(kāi)關(guān)模式電源帶來(lái)了更高的效率、功率密度以及更廣泛的應(yīng)用可能性。盡管在應(yīng)用過(guò)程中面臨著一些挑戰(zhàn)，但通過(guò)選用專用的 GaN 控制器、合理利用 GaN 驅(qū)動(dòng)器以及借助電路仿真等手段，這些問(wèn)題能夠得到有效的解決。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和完善，GaN 技術(shù)在開(kāi)關(guān)模式電源領(lǐng)域的應(yīng)用前景十分廣闊。未來(lái)，GaN 開(kāi)關(guān)技術(shù)將持續(xù)迭代更新，有望在更多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，進(jìn)一步推動(dòng)電源管理技術(shù)的進(jìn)步，為電子設(shè)備的性能提升和能源利用效率的提高做出更大貢獻(xiàn)。無(wú)論是在消費(fèi)電子、通信設(shè)備，還是工業(yè)、汽車等領(lǐng)域，GaN 技術(shù)都將成為提升電源系統(tǒng)性能的關(guān)鍵技術(shù)之一，引領(lǐng)開(kāi)關(guān)模式電源進(jìn)入一個(gè)全新的發(fā)展階段。