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[導(dǎo)讀]垂直氮化鎵設(shè)備能夠達(dá)到更高的頻率和操作在更高的電壓,這應(yīng)該導(dǎo)致新一代更有效的電力設(shè)備,現(xiàn)在的一些挑戰(zhàn),具體來說,你正在工作與橫向氮化鎵相比,有什么制造問題,問題降低成本?我想這很重要。所以,我們談?wù)摰氖菍W(xué)術(shù)上的垂直氮化鎵,還是我們可以在市場上找到解決方案?

垂直氮化鎵設(shè)備能夠達(dá)到更高的頻率和操作在更高的電壓,這應(yīng)該導(dǎo)致新一代更有效的電力設(shè)備,現(xiàn)在的一些挑戰(zhàn),具體來說,你正在工作與橫向氮化鎵相比,有什么制造問題,問題降低成本?我想這很重要。所以,我們談?wù)摰氖菍W(xué)術(shù)上的垂直氮化鎵,還是我們可以在市場上找到解決方案?

一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)是基質(zhì)。就基底的尺寸而言,我都看到了4英寸。我想有些公司聲稱自己的規(guī)模更大了,但這就是我所看到的。此外,這些基質(zhì)的質(zhì)量,根據(jù)各種類型的缺陷,以及它們的均勻性和再現(xiàn)性。這當(dāng)然是非常關(guān)鍵的,一切都從基底開始。但就器件本身而言,漂移層,當(dāng)然,為了提供更高的電壓,人們必須增加那么厚,并獲得較低的摻雜。所以,這里也有一些挑戰(zhàn)。這取決于生長技術(shù),以及補(bǔ)償缺陷等,這些缺陷往往會(huì)對抗有意的摻雜。這再次指出了對其中一些非常厚的層的基本生長和缺陷的研究。所以這是一個(gè)關(guān)鍵的問題。

在處理我之前提到的設(shè)備方面,如果你看看一個(gè)垂直的氮化鎵PN二極管或MOSFET的橫截面,它再次類似于你在硅或碳化硅中看到的,但同樣,材料是不同的。這就意味著在處理過程上的顯著差異。其中一個(gè)最大的挑戰(zhàn)是實(shí)現(xiàn)選擇性區(qū)域摻雜,所以P型和N型摻雜的交替區(qū)域。對于一些更先進(jìn)的設(shè)備體系結(jié)構(gòu),JBS二極管,或雙井mosfet,你需要它。因此,不同的研究小組用不同的方法來在這些PN連接中實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的接口。所以,在這方面有了很多進(jìn)展,但還有更多的工作要做。另一個(gè)方面與電介質(zhì)、柵極電介質(zhì)、鈍化電介質(zhì)有關(guān)。

因此,這些都是存在基本問題的東西,但隨后需要將所有這些都帶到標(biāo)準(zhǔn)流程和制造類型的環(huán)境中。這是我們團(tuán)隊(duì)一直在努力做的事情。所以我認(rèn)為很多工作仍然是學(xué)術(shù)和實(shí)驗(yàn)室,我知道至少有一個(gè)公司,也許幾家公司看著這個(gè),但是我們的團(tuán)隊(duì),這是我們一直在考慮試圖成熟的東西制造可重復(fù)的過程與良好的產(chǎn)量等等。

因此,正如你所知,市場正在繼續(xù)爭奪更多的權(quán)力。碳化硅和氮化鎵半導(dǎo)體在電力應(yīng)用方面比硅半導(dǎo)體具有優(yōu)勢,特別是在電源市場上。然而,正如你所說的,正如你所提到的,使用這些寬帶隙半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)師必須在設(shè)計(jì)基板晶圓方面面臨一些真正的挑戰(zhàn)。那么,你對下一代抱有什么期望呢?氮化鎵和碳化硅的未來是什么,特別是垂直和橫向氮化鎵技術(shù)?你認(rèn)為在哪些領(lǐng)域會(huì)有重大的技術(shù)擴(kuò)張機(jī)會(huì)?

我的觀點(diǎn)是,我認(rèn)為所有這些技術(shù)都有一席之地,我們看到的電動(dòng)汽車市場擴(kuò)張得非常迅速。碳化硅已經(jīng)在那里找到了一個(gè)不錯(cuò)的家。我認(rèn)為這將會(huì)進(jìn)一步推動(dòng)該技術(shù)的成熟。我們正在看車輛的傳動(dòng)系統(tǒng)。我的意思是,我們正在研究垂直氮化鎵在這一領(lǐng)域的潛在應(yīng)用,我們認(rèn)為可能會(huì)有一些優(yōu)勢。橫向氮化鎵傾向于更低功率,低電壓應(yīng)用,但非常高的開關(guān)頻率。所以,我可能看到這在那個(gè)領(lǐng)域繼續(xù)。

在其他交通領(lǐng)域,除了汽車,道路地面車輛,目前正在推動(dòng)電氣化,我認(rèn)為這真的很令人興奮,飛機(jī),鐵路,海運(yùn),這些往往更容易進(jìn)入中壓狀態(tài)。例如,飛機(jī),你必須推動(dòng)更高的電壓來減少一些電纜的重量。所以,我認(rèn)為,這些中壓型器件可以在那里得到應(yīng)用。你知道的,垂直的氮化鎵可以在那里找到一個(gè)家。另一個(gè)大的領(lǐng)域當(dāng)然是電網(wǎng),特別是當(dāng)我們整合了可再生能源,存儲(chǔ),重點(diǎn)是彈性,固態(tài)變電站和變壓器之類的東西。

在其中一些技術(shù)中,碳化硅和垂直氮化鎵可以在那里找到使用。我們一直在考慮一些與電網(wǎng)相關(guān)的垂直氮化鎵的專門應(yīng)用,與避雷器和類似的東西相關(guān)。所以這是我們的團(tuán)隊(duì)一直關(guān)注的一個(gè)領(lǐng)域。 但是,是的,我們看到所有這些領(lǐng)域都在擴(kuò)張,對吧?而且,作為一個(gè)結(jié)論,我也想提到,甚至還有更新的材料即將出現(xiàn),超寬帶隙材料。有很多小組在工作,我們的團(tuán)隊(duì)一直在研究其中一些。所以,這些都是像其他氮化物,氮化鋁鎵,氮化硼……氧化鎵是另一個(gè),也是鉆石。甚至還有其他人想過,但這些都處于更早的階段。但我認(rèn)為這是人們可能想要關(guān)注的另一個(gè)令人興奮的領(lǐng)域。


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