隨著在大約相同硅面積上封裝的器件數(shù)目的不斷增加,集成電路的尺寸穩(wěn)步縮小。為了獲得必須的封裝密度,contact和via openings的sidewall變得越來越陡。鋁蒸汽沉積時(shí)并不是各向同性的;穿過氧化物臺階的金屬比較薄(圖
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