說到存儲芯片,目前主要是指DRAM內(nèi)存、NAND閃存及少部分NOR閃存,內(nèi)存速度極快但成本貴,而且斷電不能保存數(shù)據(jù),NAND、NOR閃存可以保存數(shù)據(jù),成本也廉價,不過性能、延遲是沒法跟內(nèi)存相比的。 在
近日,上海微系統(tǒng)所召開“相變存儲器產(chǎn)業(yè)化獲突破性進展”新聞發(fā)布會,會上,上海微系統(tǒng)所執(zhí)行副所長謝曉明致歡迎詞,信息功能材料國家重點實驗室主任宋志棠研究員介紹了“相變存儲器(PCRAM)發(fā)展動態(tài)”。