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非常見問題解答第225期：原來為硅MOSFET設計的DC-DC控制器能否用來驅(qū)動GaNFET？
眾所周知，GaNFET比較難驅(qū)動，如果使用原本用于驅(qū)動硅(Si) MOSFET的驅(qū)動器，可能需要額外增加保護元件。適當選擇正確的驅(qū)動電壓和一些小型保護電路，可以為四開關(guān)降壓-升壓控制器提供安全、一體化、高頻率GaN驅(qū)動。
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利用集成型GaN FET實現(xiàn)效率和功率密度更大化
11月10日，TI正式宣布推出面向面向汽車和工業(yè)應用的下一代650V和600V氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET），與此同時并對TI的GaN FET技術(shù)進行了詳細的剖析。
