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7+nm

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  • 臺積電EUV工藝7+nm投片，明年4月試產(chǎn)EUV 5nm

    在工藝技術(shù)方面，臺積電宣布以N7+工藝節(jié)點投片客戶芯片，該工藝節(jié)點采用可處理4層光罩的EUV。而其N5 EUV則可提高到處理多達14層光罩，并將在明年4月準備好進行風(fēng)險試產(chǎn)。透過EUV技術(shù)可望減少先進設(shè)計所需的光罩數(shù)，從而降低成本。