摘要:分析了缺陷地結構(DGS)的基本理論及其等效模型,提出了一種新型的缺陷地結構微帶線定向耦合器的設計方法,同時分析了該缺陷地結構對耦合器耦合度的影響。仿真和實驗結果表明,該缺陷地結構能很好的增強耦合器的耦合度。
巧克力娃娃
STM32WBA6系列新品來襲,釋放Matter低功耗藍牙應用潛能
零基礎電路學(上部)
javascript運動基礎
野火F103開發(fā)板-MINI教學視頻(中級篇)
linux應用編程和網絡編程(更新中)\3.1.linux中的文件IO
內容不相關 內容錯誤 其它
本站介紹 | 申請友情鏈接 | 歡迎投稿 | 隱私聲明 | 廣告業(yè)務 | 網站地圖 | 聯(lián)系我們 | 誠聘英才
ICP許可證號:京ICP證070360號 21ic電子網 2000- 版權所有 用戶舉報窗口( 郵箱:macysun@21ic.com )
京公網安備 11010802024343號