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先進(jìn)3D芯片堆疊的精細(xì)節(jié)距微凸點(diǎn)互連
本文研究主要考慮基于CuSn金屬互化物的微凸點(diǎn)(μbump)作為芯片堆疊的手段。系統(tǒng)研究了形成金屬互化物凸點(diǎn)連接的兩種方法。一：瞬時(shí)液相(TLP)鍵合，在此過程中，全部Sn焊料熔化，隨后通過與焊料盤的作用及凸點(diǎn)下金屬化層(UMB)轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘匍g化合物。這些金屬間化合物的特點(diǎn)是比焊料本身有更高的熔點(diǎn)。
本文研究主要考慮基于CuSn金屬互化物的微凸點(diǎn)(μbump)作為芯片堆疊的手段。系統(tǒng)研究了形成金屬互化物凸點(diǎn)連接的兩種方法。一：瞬時(shí)液相(TLP)鍵合，在此過程中，全部Sn焊料熔化，隨后通過與焊料盤的作用及凸點(diǎn)下金屬化層(UMB)轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘匍g化合物。這些金屬間化合物的特點(diǎn)是比焊料本身有更高的熔點(diǎn)。
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