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高溫環(huán)境下電源可靠性設計：降額曲線與熱插拔技術的協(xié)同優(yōu)化
在數(shù)據(jù)中心、5G基站及新能源汽車等高溫應用場景中，電源模塊需同時承受85℃以上環(huán)境溫度與100%負載的雙重考驗。傳統(tǒng)降額設計雖能提升高溫可靠性，但會犧牲功率密度；而熱插拔技術雖支持在線維護，卻可能因瞬態(tài)沖擊加劇高溫失效風險。本文結合TI、ADI、Infineon等廠商方案，解析降額曲線與熱插拔技術的協(xié)同設計方法，實現(xiàn)高溫環(huán)境下功率密度與可靠性的平衡。
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英飛凌推出OptiMOS? Linear FET 2 MOSFET，賦能先進的熱插拔技術和電池保護功能
【2024年11月25日, 德國慕尼黑訊】為了滿足AI服務器和電信領域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的 RDS(on) 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出的新型OptiMOS? 5 Linear FET 2解決了這一難題，這款MOSFET專為實現(xiàn)溝槽 MOSFET的RDS(on)與經(jīng)典平面 MOSFET 的寬安全工作區(qū)（SOA）之間的理想平衡而設計。該半導體器件通過限制高浪涌電流防止對負載造成損害，并因其低RDS(on) 而能夠在工作期間將損耗降至最低。與上一代產(chǎn)品OptiMOS? Linear FET相比，OptiMOS? Linear FET 2改善了高溫下的 SOA、降低了柵極漏電流，并擴大了封裝選擇范圍。
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凌力爾特推出4μA超低靜態(tài)電流熱插拔控制器LTC4231：引領安全與效率的新篇章
在快速發(fā)展的電子行業(yè)中，熱插拔技術因其能夠在不關閉電源的情況下安全地插入或拔出電路板或電池，成為眾多電子設備設計中的重要一環(huán)。然而，傳統(tǒng)的熱插拔解決方案往往伴隨著較高的功耗和復雜的電路設計，限制了其在低功耗、高效率應用場合的推廣。針對這一挑戰(zhàn)，凌力爾特公司(Linear Technology Corporation，現(xiàn)已并入亞德諾半導體公司Analog Devices, Inc.)于2014年推出了LTC4231——一款具有4μA超低靜態(tài)電流的熱插拔控制器，為電子設備的熱插拔技術帶來了革命性的變革。
