在開關(guān)電源的運行過程中,啟動浪涌電流是一個不容忽視的問題。它不僅可能導(dǎo)致電源內(nèi)部元器件損壞,還會對電網(wǎng)造成干擾,影響其他用電設(shè)備的正常工作。因此,深入研究抑制開關(guān)電源啟動浪涌電流的方法具有重要的現(xiàn)實意義。
在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能,如高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻、高耐壓能力等,正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。然而,正是由于這些獨特的性能特點,使得碳化硅 MOSFET 在實際應(yīng)用中面臨著一些特殊的挑戰(zhàn),其中米勒效應(yīng)帶來的影響尤為突出,這也使得米勒鉗位對于碳化硅 MOSFET 顯得特別重要。
在這個電子設(shè)備不離身的時代,充電器作為設(shè)備的 “能量補給站”,其重要性不言而喻。隨著科技的飛速發(fā)展,氮化鎵充電器逐漸走進大眾視野,它與我們常見的普通充電器相比,有著諸多顯著的區(qū)別。這些區(qū)別不僅體現(xiàn)在技術(shù)層面,更直接影響著我們的使用體驗。接下來,就讓我們深入探究氮化鎵充電器和普通充電器的不同之處。
在電力電子設(shè)備朝著高頻化、小型化發(fā)展的進程中,正激式開關(guān)電源憑借其電路結(jié)構(gòu)簡潔、電壓調(diào)整率高、帶負載能力強等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、通信設(shè)備、消費電子等領(lǐng)域。然而,隨著開關(guān)頻率的不斷提升,其產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)問題日益突出,其中傳導(dǎo)電磁干擾作為影響設(shè)備電磁兼容性(EMC)的關(guān)鍵因素,不僅會導(dǎo)致電源自身性能不穩(wěn)定,還可能對周邊電子設(shè)備造成嚴重的干擾,甚至引發(fā)整個電子系統(tǒng)的故障。因此,深入研究正激式開關(guān)電源傳導(dǎo)電磁干擾的產(chǎn)生機理與抑制技術(shù),對提升電源產(chǎn)品的可靠性和市場競爭力具有重要意義。
在開關(guān)電源設(shè)計領(lǐng)域,Boost 電路作為一種常見的升壓拓撲結(jié)構(gòu),被廣泛應(yīng)用于電池供電設(shè)備、LED 驅(qū)動、新能源發(fā)電等場景。其核心功能是將輸入的低壓直流電轉(zhuǎn)化為更高電壓的直流電,滿足后級電路的供電需求。然而,在實際應(yīng)用中,時常會出現(xiàn)升壓輸出遠遠超出設(shè)計預(yù)期值的情況,這種異常不僅可能導(dǎo)致后級負載設(shè)備損壞,還可能引發(fā)電路過熱、元件燒毀等安全隱患。本文將從電路原理出發(fā),深入分析 Boost 電路升壓超預(yù)期的常見原因,并提供系統(tǒng)性的排查與解決辦法。
在電源設(shè)計領(lǐng)域,開關(guān)頻率是決定系統(tǒng)性能的核心參數(shù)之一,它如同天平的支點,一頭連接著電源的體積與重量,另一頭關(guān)聯(lián)著效率與穩(wěn)定性。然而,工程師在設(shè)定開關(guān)頻率時,并非可以隨意選擇 —— 從器件特性到電磁兼容,從散熱需求到成本控制,多重限制因素相互交織,共同構(gòu)成了開關(guān)頻率的 “選擇邊界”。深入理解這些制約條件,才能在電源設(shè)計中實現(xiàn)性能與實用性的最佳平衡。
無線電能傳輸(Wireless Power Transfer, WPT)技術(shù)憑借其安全、便捷、無接觸的優(yōu)勢,已廣泛應(yīng)用于電動汽車充電、醫(yī)療設(shè)備供電、物聯(lián)網(wǎng)傳感器供電等領(lǐng)域。在 WPT 系統(tǒng)中,功率放大器作為核心能量轉(zhuǎn)換與放大單元,其輸出功率、帶寬、效率及穩(wěn)定性直接決定了整個系統(tǒng)的傳輸性能。ATA-1220E 作為一款高性能寬帶功率放大器,具備輸出功率大、帶寬覆蓋廣、線性度優(yōu)異等特點,為 WPT 系統(tǒng)的高效運行提供了潛在解決方案。本文圍繞 ATA-1220E 寬帶功率放大器在 WPT 系統(tǒng)中的應(yīng)用展開研究,通過搭建實驗平臺,從輸出功率穩(wěn)定性、傳輸效率、帶寬適配性及抗干擾能力四個維度,分析其在不同工況下的性能表現(xiàn),旨在為 WPT 系統(tǒng)的功率放大單元選型與優(yōu)化提供實驗依據(jù)。
諧振轉(zhuǎn)換器憑借其軟開關(guān)特性與電磁兼容優(yōu)勢,成為中大功率場景的核心拓撲。然而,單相系統(tǒng)固有的兩倍頻功率波動與開關(guān)動作產(chǎn)生的高頻紋波,始終是制約輸出電能質(zhì)量的瓶頸。本文以LLC諧振轉(zhuǎn)換器與雙有源橋(DAB)架構(gòu)為研究對象,通過信號調(diào)制解調(diào)理論、控制策略創(chuàng)新與實際工程驗證,揭示兩者在紋波抑制中的技術(shù)差異與協(xié)同路徑。
在開關(guān)電源、音頻放大器、高速ADC供電等對電源完整性要求嚴苛的場景中,輸出端濾波電容的選擇直接決定著系統(tǒng)的性能邊界。陶瓷電容與鉭電容作為兩大主流選擇,其頻響特性與紋波抑制效果的差異常引發(fā)工程師激烈爭論。本文通過實測對比,揭示這兩種電容在100Hz至100MHz頻段內(nèi)的真實表現(xiàn),為電路設(shè)計提供數(shù)據(jù)支撐。
電源模塊的散熱效率與輸出穩(wěn)定性已成為制約系統(tǒng)性能的核心瓶頸。石墨烯憑借其5300W/(m·K)的熱導(dǎo)率與0.99的紅外熱輻射系數(shù),正在重塑電源散熱設(shè)計范式;而熱應(yīng)力引發(fā)的材料形變與電氣參數(shù)漂移,則成為影響紋波穩(wěn)定性的關(guān)鍵變量。這場散熱材料革命與熱力學(xué)挑戰(zhàn)的碰撞,正推動電源技術(shù)向更高效、更可靠的方向演進。
高性能電子設(shè)備對電源質(zhì)量要求日益嚴苛,開關(guān)電源的輸出紋波抑制已成為系統(tǒng)設(shè)計的核心挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)單相拓撲受限于電感電流脈動與開關(guān)頻率的制約,難以滿足低紋波(<10mV)、高效率(>95%)的雙重需求。近年來,多相交錯并聯(lián)技術(shù)與耦合電感技術(shù)的協(xié)同設(shè)計策略,通過時域與頻域的雙重優(yōu)化,為紋波抑制開辟了新路徑。本文將從技術(shù)原理、協(xié)同機制及工程實現(xiàn)三個維度展開深度解析,揭示這一創(chuàng)新組合的技術(shù)價值。
高速開關(guān)電源的PCB布局已成為決定系統(tǒng)穩(wěn)定性的"隱形戰(zhàn)場"。某通信企業(yè)工程師曾分享過這樣一個案例:一款48V轉(zhuǎn)12V的DC-DC轉(zhuǎn)換器,在實驗室測試時紋波指標完美,但批量生產(chǎn)后卻出現(xiàn)30%的故障率。經(jīng)過數(shù)周排查,最終發(fā)現(xiàn)罪魁禍首竟是PCB上一段2cm長的多余走線——這段走線與地平面形成的0.5nH寄生電感,在200kHz開關(guān)頻率下產(chǎn)生了4.5V的電壓尖峰,直接擊穿了功率MOSFET的柵極。這個案例揭示了一個殘酷現(xiàn)實:在MHz級開關(guān)頻率下,PCB布局中的每個細節(jié)都可能成為壓垮系統(tǒng)的"最后一根稻草"。
在5G通信基站、新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)、人工智能服務(wù)器等高功率密度電子設(shè)備中,高頻電源的紋波控制已成為決定系統(tǒng)穩(wěn)定性的核心挑戰(zhàn)。當開關(guān)頻率突破MHz級門檻,傳統(tǒng)電源設(shè)計中的"微小"寄生參數(shù)——走線阻抗的諧振峰、過孔的電感突變、焊盤的電容耦合——正演變?yōu)橐l(fā)紋波超標的"隱形殺手"。某數(shù)據(jù)中心電源模塊的實測數(shù)據(jù)顯示,僅0.5nH的寄生電感就可使1MHz開關(guān)頻率下的紋波電壓放大3倍,直接觸發(fā)服務(wù)器主板的過壓保護。
在數(shù)字電路以GHz速度狂奔、模擬信號對噪聲敏感度突破皮伏級的新時代,電源紋波已成為決定系統(tǒng)穩(wěn)定性的“隱形殺手”。從5G基站的光模塊供電到新能源汽車的電機驅(qū)動,從醫(yī)療影像設(shè)備的精密探測器到航天器的星載計算機,電源紋波濾波器的設(shè)計質(zhì)量直接關(guān)乎產(chǎn)品成敗。本文將揭示LC濾波器參數(shù)計算的底層邏輯,并解碼磁芯材料選型的核心密碼,助您打造紋波抑制的“黃金鎧甲”。
在精密電子設(shè)備中,電源的純凈度如同血液中的氧氣含量,直接決定著系統(tǒng)的穩(wěn)定性與性能上限。低紋波LDO線性穩(wěn)壓器作為電源管理的核心組件,其設(shè)計挑戰(zhàn)在于如何讓反饋環(huán)路與輸出電容ESR(等效串聯(lián)電阻)形成“黃金搭檔”,在瞬態(tài)響應(yīng)與穩(wěn)態(tài)精度之間取得完美平衡。