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從 MOSFET、二極管到功率模塊,功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施,到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車 (EV),它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。第三代寬禁帶(WBG)解決方案是半導(dǎo)體技術(shù)的前沿,如使用碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)的硅(Si)晶體管相比,SiC 的優(yōu)異物理特性使基于 SiC 的系統(tǒng)能夠在更小的外形尺寸內(nèi)顯著減少損耗并加快開關(guān)速度。
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比例帶是一個(gè)無量綱的純數(shù)值,其物理意義為:調(diào)節(jié)閥從全開到全關(guān)(輸出做全量程范圍變化時(shí)),輸入(被控量)的變化占其全量程變化范圍的百分?jǐn)?shù)。
在當(dāng)今的電子設(shè)備領(lǐng)域,電源管理設(shè)計(jì)至關(guān)重要,其性能直接影響著設(shè)備的整體表現(xiàn)。隨著科技的不斷進(jìn)步,氮化鎵(GaN)功率器件應(yīng)運(yùn)而生,為電源管理設(shè)計(jì)帶來了新的突破和提升。
前段時(shí)間 Semicon 熱鬧非凡,半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)占據(jù)了多數(shù)席位,呈現(xiàn)一片欣欣向榮之勢(shì)。但殊不知在這喧囂的背后,設(shè)備產(chǎn)業(yè)已經(jīng)悄然切換到分層時(shí)代。接下來海量設(shè)備企業(yè)將無可避免地迎來殘酷的淘汰賽,現(xiàn)在關(guān)稅大戰(zhàn)爆發(fā),國產(chǎn)替代加速,更是加大了這種緊迫性。
在全球能源轉(zhuǎn)型與科技飛速發(fā)展的浪潮下,電池技術(shù)作為眾多領(lǐng)域的核心驅(qū)動(dòng)力,正經(jīng)歷著深刻變革。其中,新型硅碳負(fù)極材料的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程備受矚目,其發(fā)展態(tài)勢(shì)似乎預(yù)示著下一代電池賽道即將迎來崛起的曙光。
今年兩會(huì)期間,國家對(duì)人工智能創(chuàng)新的大力支持,為機(jī)器人產(chǎn)業(yè)注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。同時(shí),中國人工智能企業(yè)取得的重要突破,也讓市場(chǎng)對(duì)機(jī)器人發(fā)展與應(yīng)用充滿期待。在這一背景下,全球協(xié)作機(jī)器人制造商優(yōu)傲機(jī)器人(以下簡(jiǎn)稱 “優(yōu)傲”)認(rèn)為,無論 AI 在機(jī)器人技術(shù)上的應(yīng)用最終表現(xiàn)形態(tài)如何,工業(yè)機(jī)器人落地離不開三重核心技術(shù)能力:安全穩(wěn)定、靈活易用、持續(xù)創(chuàng)新。
在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下,自動(dòng)駕駛技術(shù)正逐步從設(shè)想走向現(xiàn)實(shí),為未來交通勾勒出全新的藍(lán)圖。隨著完全自動(dòng)駕駛技術(shù)的推進(jìn),車輛所需傳感器的數(shù)量和種類不斷增加,以便全面、可控地感知車輛周圍環(huán)境的動(dòng)態(tài)變化。這些先進(jìn)傳感器生成的數(shù)據(jù)量呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),并需要以 10Gbps 的速度連接至電子控制單元(ECU),這為汽車以太網(wǎng)的采用鋪平了道路。
在當(dāng)今這個(gè)信息化、智能化的時(shí)代,無線通信技術(shù)已經(jīng)滲透到我們生活的方方面面。從智能家居、工業(yè)自動(dòng)化到遠(yuǎn)程監(jiān)控、醫(yī)療健康,無線射頻模塊作為無線通信的核心組件,其性能與穩(wěn)定性直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行效果。本文將為大家推薦幾款高性能的無線射頻模塊,并探討其背后的多種芯片方案選擇,幫助大家更好地了解并選擇合適的無線射頻模塊。
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域,場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)作為核心功率器件,其性能直接決定了電機(jī)系統(tǒng)的效率、可靠性與控制精度。隨著工業(yè)自動(dòng)化、新能源汽車、消費(fèi)電子等領(lǐng)域?qū)﹄姍C(jī)性能要求的不斷提升,MOSFET 需滿足更為嚴(yán)苛的條件。本文將從電氣特性、環(huán)境適應(yīng)性、可靠性及驅(qū)動(dòng)適配等維度,深入解析電機(jī)對(duì) MOSFET 的關(guān)鍵要求。
在現(xiàn)代電力電子技術(shù)領(lǐng)域,高頻電感器作為關(guān)鍵元件,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、逆變器、無線充電等諸多系統(tǒng)中。然而,隨著工作頻率的不斷提高,電感器線圈損耗成為影響其性能和效率的重要因素。過高的線圈損耗不僅會(huì)導(dǎo)致電感器發(fā)熱嚴(yán)重,降低系統(tǒng)可靠性,還會(huì)增加能量消耗,降低能源利用效率。因此,研究如何減小高頻電感器線圈損耗具有至關(guān)重要的意義。其中,通過設(shè)計(jì)磁壓來降低線圈損耗的技術(shù)逐漸受到關(guān)注,為解決這一難題提供了新的思路。