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未來十年將是GaN和SiC功率半導體市場 將以18%速度增長

在未來十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅動,新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。

據(jù)有關報告稱,至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預測,未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率,見下表。

 

未來十年將是GaN和SiC功率半導體市場,將以18%速度增長

SiC肖特基二極管已存在十多年,SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導體則剛剛進入市場。GaN是一種擁有類似于SiC性能優(yōu)勢的寬帶隙材料,但擁有更大的成本控制潛力。

據(jù)分析師預測,氮化鎵上硅設備與硅MOSFET、IGBT或整流器將在2019年實現(xiàn)平價和同等性能,至2022年GaN功率市場銷售額將超過10億大關。

SiC肖特基二極管在2012年的銷售額超過1億美元,是目前最暢銷的SiC或GaN設備。至2022年這一數(shù)字將增加近一倍。

到那時,SiCMOSFET銷售額預計將達到4億美元,超越肖特基二極管成為最熱賣的離散電源設備類型。雖然可靠性、價格及性能相近,SiCJFET和SiCBJT各自的銷售額預計僅達到SiCMOSFET的一半。

雖然IHS預測SiC和GaN市場未來幾年增長強勁,但與一年前相比,這一預測已是大打折扣了。這一變化的主要原因在于,全球經(jīng)濟的低迷現(xiàn)狀使市調機構調低了對功率組件設備的出貨量預測。SiC采用率預測也被大幅調低,因為設備價格并未如此前預測那樣快速下跌。

相比之下,業(yè)界對GaN技術的信心有所提高,越來越多公司已宣布進行GaN研發(fā)。例如Transphorm已成為首家獲得氮化鎵上硅設備JEDEC資格的公司。

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