未來十年將是GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場 將以18%速度增長
在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。
據(jù)有關(guān)報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測，未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率，見下表。
SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進入市場。GaN是一種擁有類似于SiC性能優(yōu)勢的寬帶隙材料，但擁有更大的成本控制潛力。
據(jù)分析師預(yù)測，氮化鎵上硅設(shè)備與硅MOSFET、IGBT或整流器將在2019年實現(xiàn)平價和同等性能，至2022年GaN功率市場銷售額將超過10億大關(guān)。
SiC肖特基二極管在2012年的銷售額超過1億美元，是目前最暢銷的SiC或GaN設(shè)備。至2022年這一數(shù)字將增加近一倍。
到那時，SiCMOSFET銷售額預(yù)計將達到4億美元，超越肖特基二極管成為最熱賣的離散電源設(shè)備類型。雖然可靠性、價格及性能相近，SiCJFET和SiCBJT各自的銷售額預(yù)計僅達到SiCMOSFET的一半。
雖然IHS預(yù)測SiC和GaN市場未來幾年增長強勁，但與一年前相比，這一預(yù)測已是大打折扣了。這一變化的主要原因在于，全球經(jīng)濟的低迷現(xiàn)狀使市調(diào)機構(gòu)調(diào)低了對功率組件設(shè)備的出貨量預(yù)測。SiC采用率預(yù)測也被大幅調(diào)低，因為設(shè)備價格并未如此前預(yù)測那樣快速下跌。
相比之下，業(yè)界對GaN技術(shù)的信心有所提高，越來越多公司已宣布進行GaN研發(fā)。例如Transphorm已成為首家獲得氮化鎵上硅設(shè)備JEDEC資格的公司。
熱點產(chǎn)品more
新品more
活動more
ADI 技術(shù)視頻more
LT3094: 在 1MHz 具 0.8μVRMS 噪聲的負 LDO
LT3094 是一款高性能低壓差負線性穩(wěn)壓器，其具有 ADI 的超低噪聲和超高 PSRR 架構(gòu)，適合為噪聲敏感型應(yīng)用供電。該器件可通過并聯(lián)以增加輸出電流和在 PCB 上散播熱量。
LTM8002：高效率、超低 EMI 降壓型電源 μModule
LTM8002 是一款 40VIN、2.5A 降壓型μModule® 穩(wěn)壓器。它內(nèi)置了開關(guān)控制器、電源開關(guān)、電感器和所有的支持性組件。該器件支持 3.4V 至 40V 的輸入電壓范圍，和 0.97V 至 18V 的輸出電壓。
具電源系統(tǒng)管理功能的超薄型 μModule 穩(wěn)壓器
LTM4686 是一款雙通道 10A 或單通道 20A 超薄型降壓 μModule 穩(wěn)壓器。該器件1.82mm 的高度使之可放置到非�？拷撦d (FPGA 或 ASIC) 的地方，從而共用一個散熱器。其 PMBus 接口使用戶能改變主要的電源參數(shù)。
